ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单 > IXFX32N90P
Datasheet下载- 型号： IXFX32N90P
- 制造商： IXYS
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IXFX32N90P由IXYS设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IXFX32N90P价格参考。IXYSIXFX32N90P封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 通孔 N 沟道 900V 32A（Tc） 960W（Tc） PLUS247™-3。您可以下载IXFX32N90P参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IXFX32N90P 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IXFX32N90P是由IXYS公司生产的一款MOSFET（金属氧化物场效应晶体管），属于单个FET类型。它具有高电压和大电流承载能力，适用于多种电力电子应用。 应用场景： 1. 开关电源（SMPS）： - IXFX32N90P的高耐压特性使其非常适合用于开关电源中的功率开关。它可以承受高达900V的漏源电压，适用于需要高电压隔离的场合，如离线式开关电源、DC-DC转换器等。 2. 电机驱动： - 该器件可用于驱动各种类型的电机，包括步进电机、直流电机和无刷直流电机。其低导通电阻（Rds(on)）有助于减少功耗，提高效率，特别适合于需要频繁启停或调速的应用场景。 3. 逆变器： - 在光伏逆变器、不间断电源（UPS）和其他类型的逆变器中，IXFX32N90P可以作为主开关管使用。它能够快速切换，减少开关损耗，并且在高频工作时表现出色，确保系统的高效运行。 4. 工业控制： - 该MOSFET适用于工业自动化设备中的各种控制电路，如可编程逻辑控制器（PLC）、伺服驱动器等。它的高可靠性和耐用性使其能够在恶劣的工业环境中长期稳定工作。 5. 电动汽车（EV）和混合动力汽车（HEV）： - 在电动汽车和混合动力汽车的电动机控制系统中，IXFX32N90P可以用于电池管理系统、DC-DC转换器和逆变器等关键部件。其高耐压和大电流特性满足了这些应用对功率器件的严格要求。 6. 焊接设备： - 焊接设备需要高效的功率转换和精确的电流控制，IXFX32N90P可以用于焊接电源中的功率输出级，提供稳定的电流输出，确保焊接质量。 总之，IXFX32N90P凭借其出色的电气性能和可靠性，广泛应用于各类电力电子设备中，特别是在需要高电压、大电流和高效能的场合。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 900V 32A PLUS247MOSFET Polar HiPerFETs MOSFET w/Fast Diode |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 32 A |
| Id-连续漏极电流 | 32 A |
| 品牌 | IXYS |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,IXYS IXFX32N90PPolar™ HiPerFET™ |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IXFX32N90P |
| Pd-PowerDissipation | 960 W |
| Pd-功率耗散 | 960 W |
| Qg-GateCharge | 215 nC |
| Qg-栅极电荷 | 215 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 300 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 300 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 900 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 900 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 30 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 3.5 V to 6.5 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 3.5 V to 6.5 V |
| 上升时间 | 80 ns |
| 下降时间 | 26 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 6.5V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 10600pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 215nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 300 毫欧 @ 16A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | PLUS247™-3 |
| 典型关闭延迟时间 | 68 ns |
| 功率-最大值 | 960W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | IXYS |
| 商标名 | HiPerFET |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-247-3 |
| 封装/箱体 | PLUS 247-3 |
| 工厂包装数量 | 30 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 30 |
| 正向跨导-最小值 | 22 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 900V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 32A （Tc） |
| 系列 | IXFX32N90 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
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