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Datasheet下载- 型号： IXFT50N60P3
- 制造商： IXYS
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IXFT50N60P3产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IXFT50N60P3由IXYS设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IXFT50N60P3价格参考。IXYSIXFT50N60P3封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 600V 50A（Tc） 1040W（Tc） TO-268。您可以下载IXFT50N60P3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IXFT50N60P3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IXYS公司生产的IXFT50N60P3是一款N沟道功率MOSFET（金属氧化物场效应晶体管），主要用于高电压和中等电流的应用场景。其额定耐压为600V，最大连续漏极电流可达50A（在25°C结温下）。这款器件具有低导通电阻、快速开关速度以及出色的雪崩能力，适用于多种电力电子设备中。 具体应用场景包括但不限于以下几种： 1. 电源管理：如开关模式电源（SMPS）、不间断电源（UPS）系统中的功率转换部分。由于其高耐压特性，能够在高压输入条件下稳定工作，确保电源系统的可靠性和效率。 2. 电机驱动：用于工业自动化领域的伺服电机或步进电机控制器中，作为逆变器桥臂的关键组件，实现对电机的有效控制。它能承受较高的电压波动并提供足够的电流输出以满足电机启动和运行的需求。 3. 太阳能光伏逆变器：在光伏发电系统中，将直流电转换成交流电的过程中起到重要作用。该MOSFET可以处理来自太阳能电池板的高电压，并且具备良好的散热性能来应对长时间工作的高温环境。 4. 电动汽车及混合动力汽车：应用于车载充电器、DC/DC变换器等部件内，负责能量传输与分配任务。凭借其高效的开关特性和强大的过载保护功能，有助于提高车辆的整体效能和安全性。 总之，IXFT50N60P3凭借其优异的电气参数和可靠性，在需要高效能功率切换的应用场合表现出色，特别是在那些涉及较高电压水平且要求良好热管理和快速响应速度的领域。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | MOSFET N-CH 600V 50A TO268MOSFET 600V 50A 0.145Ohm PolarP3 Power MOSFET |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 50 A |
| Id-连续漏极电流 | 50 A |
| 品牌 | IXYS |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,IXYS IXFT50N60P3Polar3™ HiPerFET™ |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IXFT50N60P3 |
| Pd-PowerDissipation | 1040 W |
| Pd-功率耗散 | 1040 W |
| Qg-GateCharge | 94 nC |
| Qg-栅极电荷 | 94 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 145 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 145 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 600 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 600 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 30 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 5 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 5 V |
| 上升时间 | 20 ns |
| 下降时间 | 17 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 5V @ 4mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 6300pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 94nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 145 毫欧 @ 500mA，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-268 |
| 功率-最大值 | 1040W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | IXYS |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-268-3，D³Pak（2 引线+接片），TO-268AA |
| 封装/箱体 | TO-268-2 |
| 工厂包装数量 | 30 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 标准包装 | 30 |
| 正向跨导-最小值 | 55 S, 32 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 600V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 50A （Tc） |
| 系列 | IXFT50N60 |
| 配置 | Single |
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