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  • 型号: IXFQ50N60P3
  • 制造商: IXYS
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供IXFQ50N60P3由IXYS设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IXFQ50N60P3价格参考。IXYSIXFQ50N60P3封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 N 沟道 600V 50A(Tc) 1040W(Tc) TO-3P。您可以下载IXFQ50N60P3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IXFQ50N60P3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

描述

MOSFET N-CH 600V 50A TO3PMOSFET 600V 50A 0.145Ohm PolarP3 Power MOSFET

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

50 A

Id-连续漏极电流

50 A

品牌

IXYS

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,IXYS IXFQ50N60P3Polar3™ HiPerFET™

数据手册

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产品型号

IXFQ50N60P3

Pd-PowerDissipation

1040 W

Pd-功率耗散

1040 W

Qg-GateCharge

94 nC

Qg-栅极电荷

94 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

145 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

145 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

600 V

Vds-漏源极击穿电压

600 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

30 V

Vgs-栅源极击穿电压

30 V

Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage

5 V

Vgsth-栅源极阈值电压

5 V

上升时间

20 ns

下降时间

17 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

5V @ 4mA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

6300pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

94nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

145 毫欧 @ 500mA,10V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

TO-3P

功率-最大值

1040W

包装

管件

商标

IXYS

安装类型

通孔

安装风格

Through Hole

封装

Tube

封装/外壳

TO-3P-3,SC-65-3

封装/箱体

TO-3P-3

工厂包装数量

30

晶体管极性

N-Channel

标准包装

30

正向跨导-最小值

55 S, 32 S

漏源极电压(Vdss)

600V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

50A (Tc)

系列

IXFQ50N60

配置

Single

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