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型号： IXFQ22N60P3
制造商： IXYS
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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IXFQ22N60P3产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供IXFQ22N60P3由IXYS设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IXFQ22N60P3价格参考￥35.44-￥64.03。IXYSIXFQ22N60P3封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单，通孔 N 沟道 600V 22A（Tc） 500W（Tc） TO-3P。您可以下载IXFQ22N60P3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IXFQ22N60P3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
描述	MOSFET N-CH 600V 22A TO3PMOSFET 600V 22A 0.36Ohm PolarP3 Power MOSFET
产品分类	FET - 单分离式半导体
FET功能	标准
FET类型	MOSFET N 通道，金属氧化物
Id-ContinuousDrainCurrent	22 A
Id-连续漏极电流	22 A
品牌	IXYS
产品手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
rohs	符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	晶体管,MOSFET,IXYS IXFQ22N60P3Polar3™ HiPerFET™
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品型号	IXFQ22N60P3
Pd-PowerDissipation	500 W
Pd-功率耗散	500 W
Qg-GateCharge	38 nC
Qg-栅极电荷	38 nC
RdsOn-Drain-SourceResistance	360 mOhms
RdsOn-漏源导通电阻	360 mOhms
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage	600 V
Vds-漏源极击穿电压	600 V
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage	30 V
Vgs-栅源极击穿电压	30 V
Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage	5 V
Vgsth-栅源极阈值电压	5 V
上升时间	17 ns
下降时间	19 ns
不同Id时的Vgs(th)（最大值）	5V @ 1.5mA
不同Vds时的输入电容(Ciss)	2600pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)	38nC @ 10V
不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值）	360 毫欧 @ 11A，10V
产品种类	MOSFET
供应商器件封装	TO-3P
功率-最大值	500W
包装	管件
商标	IXYS
安装类型	通孔
安装风格	Through Hole
封装	Tube
封装/外壳	TO-3P-3，SC-65-3
封装/箱体	TO-3P-3
工厂包装数量	30
晶体管极性	N-Channel
标准包装	30
正向跨导-最小值	24 S, 14 S
漏源极电压(Vdss)	600V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）	22A （Tc）
系列	IXFQ22N60
配置	Single