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  • 型号: IXFN80N50Q3
  • 制造商: IXYS
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IXFN80N50Q3产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供IXFN80N50Q3由IXYS设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IXFN80N50Q3价格参考。IXYSIXFN80N50Q3封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 底座安装 N 沟道 500V 63A(Tc) 780W(Tc) SOT-227B。您可以下载IXFN80N50Q3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IXFN80N50Q3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET N-CH 500V 63A SOT-227MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 500V/63A

产品分类

FET - 模块分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

63 A

Id-连续漏极电流

63 A

品牌

IXYS

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,IXYS IXFN80N50Q3HiPerFET™

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产品型号

IXFN80N50Q3

Pd-PowerDissipation

780 W

Pd-功率耗散

780 W

Qg-GateCharge

200 nC

Qg-栅极电荷

200 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

65 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

65 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

500 V

Vds-漏源极击穿电压

500 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

30 V

Vgs-栅源极击穿电压

30 V

上升时间

250 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

6.5V @ 8mA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

10000pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

200nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

65 毫欧 @ 40A,10V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

SOT-227B

功率-最大值

780W

包装

管件

商标

IXYS

商标名

HiPerFET

安装类型

底座安装

安装风格

SMD/SMT

封装

Tube

封装/外壳

SOT-227-4,miniBLOC

封装/箱体

SOT-227B-4

工厂包装数量

10

晶体管极性

N-Channel

标准包装

10

漏源极电压(Vdss)

500V

特色产品

http://www.digikey.com/product-highlights/cn/zh/ixys-q3-class-hiperfet-power-mosfet/1012

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

63A

系列

IXFN80N50

配置

Single

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