【晶体管 - FET，MOSFET - 单_IXFN64N50P】封装/厂家_IXFN64N50P中文资料_价格

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型号： IXFN64N50P
制造商： Clare
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供IXFN64N50P由Clare设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IXFN64N50P价格参考。ClareIXFN64N50P封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单，底座安装 N 沟道 500V 61A（Tc） 700W（Tc） SOT-227B。您可以下载IXFN64N50P参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IXFN64N50P 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

IXFN64N50P 是由 IXYS 生产的一款 N 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物场效应晶体管）。该器件具有 50V 的最大漏源电压 (VDS) 和 64A 的连续漏极电流 (ID)，适用于多种电力电子应用场景。以下是其主要应用场景：

 1. 电源管理
IXFN64N50P 可用于开关电源（SMPS）、直流-直流转换器（DC-DC）等电源管理系统中。其低导通电阻（RDS(on)）特性有助于减少功率损耗，提高效率。此外，该器件的快速开关速度和低栅极电荷（Qg）使其适合高频开关应用，能够有效降低电磁干扰（EMI）。

 2. 电机驱动
在电机驱动电路中，IXFN64N50P 可作为功率级开关元件，用于控制电机的启动、停止和调速。其高电流承载能力和快速响应速度使得它能够胜任大功率电机的驱动任务，尤其是在电动工具、家用电器和工业自动化设备中。

 3. 电池管理系统（BMS）
IXFN64N50P 可用于电池保护电路中，充当充放电控制开关。其低导通电阻有助于减少电池内部的发热，延长电池寿命。此外，该器件的高可靠性使其能够在恶劣环境下稳定工作，确保电池系统的安全性。

 4. 逆变器和变频器
IXFN64N50P 可用于逆变器和变频器中的功率转换部分，特别是在太阳能逆变器、不间断电源（UPS）和空调系统中。其优异的热性能和耐压能力使其能够在高温和高压条件下保持稳定运行，确保系统的高效性和可靠性。

 5. 负载切换和保护电路
该器件还可用于负载切换和保护电路中，如过流保护、短路保护等。其内置的温度保护功能可以防止因过热导致的损坏，提供额外的安全保障。

总之，IXFN64N50P 凭借其出色的电气特性和可靠性，广泛应用于各种电力电子设备中，特别是在需要高效功率转换和可靠开关操作的场合。

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