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产品简介:
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参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
ChannelMode | Enhancement |
描述 | MOSFET N-CH 600V 40A SOT-227MOSFET 600V 48A |
产品分类 | FET - 模块分离式半导体 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 40 A |
Id-连续漏极电流 | 40 A |
品牌 | IXYS |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,IXYS IXFN48N60PPolarHV™ |
数据手册 | |
产品型号 | IXFN48N60P |
Pd-PowerDissipation | 625 W |
Pd-功率耗散 | 625 W |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 140 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 140 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 600 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 600 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 30 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 30 V |
上升时间 | 25 ns |
下降时间 | 22 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 5.5V @ 8mA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 8860pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 150nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 140 毫欧 @ 4A,10V |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | SOT-227B |
典型关闭延迟时间 | 85 ns |
功率-最大值 | 625W |
包装 | 管件 |
单位重量 | 38 g |
商标 | IXYS |
安装类型 | 底座安装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Tube |
封装/外壳 | SOT-227-4,miniBLOC |
封装/箱体 | SOT-227B-4 |
工厂包装数量 | 10 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 10 |
正向跨导-最小值 | 53 S |
漏源极电压(Vdss) | 600V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 40A |
系列 | IXFN48N60 |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Single Dual Source |