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  • 型号: IXFN48N60P
  • 制造商: IXYS
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供IXFN48N60P由IXYS设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IXFN48N60P价格参考。IXYSIXFN48N60P封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IXFN48N60P参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IXFN48N60P 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET N-CH 600V 40A SOT-227MOSFET 600V 48A

产品分类

FET - 模块分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

40 A

Id-连续漏极电流

40 A

品牌

IXYS

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,IXYS IXFN48N60PPolarHV™

数据手册

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产品型号

IXFN48N60P

Pd-PowerDissipation

625 W

Pd-功率耗散

625 W

RdsOn-Drain-SourceResistance

140 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

140 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

600 V

Vds-漏源极击穿电压

600 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 30 V

Vgs-栅源极击穿电压

30 V

上升时间

25 ns

下降时间

22 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

5.5V @ 8mA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

8860pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

150nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

140 毫欧 @ 4A,10V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

SOT-227B

典型关闭延迟时间

85 ns

功率-最大值

625W

包装

管件

单位重量

38 g

商标

IXYS

安装类型

底座安装

安装风格

SMD/SMT

封装

Tube

封装/外壳

SOT-227-4,miniBLOC

封装/箱体

SOT-227B-4

工厂包装数量

10

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

10

正向跨导-最小值

53 S

漏源极电压(Vdss)

600V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

40A

系列

IXFN48N60

通道模式

Enhancement

配置

Single Dual Source

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