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  • 型号: IXFN420N10T
  • 制造商: IXYS
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供IXFN420N10T由IXYS设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IXFN420N10T价格参考。IXYSIXFN420N10T封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IXFN420N10T参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IXFN420N10T 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET N-CH 100V 420A SOT-227MOSFET TRENCH HIPERFET PWR MOSFET 100V 420A

产品分类

FET - 模块分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

420 A

Id-连续漏极电流

420 A

品牌

IXYS

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,IXYS IXFN420N10TGigaMOS™ HiPerFET™

数据手册

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产品型号

IXFN420N10T

Pd-PowerDissipation

1070 W

Pd-功率耗散

1.07 kW

Qg-GateCharge

670 nC

Qg-栅极电荷

670 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

2.3 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

2.3 mOhms

Vds-漏源极击穿电压

100 V

Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage

5 V

Vgsth-栅源极阈值电压

5 V

上升时间

155 ns

下降时间

255 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

5V @ 8mA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

47000pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

670nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

2.3 毫欧 @ 60A,10V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

SOT-227B

典型关闭延迟时间

115 ns

功率-最大值

1070W

包装

管件

商标

IXYS

商标名

HiPerFET

安装类型

底座安装

安装风格

SMD/SMT

封装

Tube

封装/外壳

SOT-227-4,miniBLOC

封装/箱体

SOT-227B-4

工厂包装数量

10

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 175 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

10

正向跨导-最小值

110 S,185 S

漏源极电压(Vdss)

100V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

420A

系列

IXFN420N10

通道模式

Enhancement

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