Datasheet下载- 型号： IXFN40N90P
- 制造商： IXYS
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IXFN40N90P由IXYS设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IXFN40N90P价格参考。IXYSIXFN40N90P封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IXFN40N90P参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IXFN40N90P 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 900V 33A SOT227分立半导体模块 PolarHV HiPerFETs 500V-1.2Kv Red Rds |
| 产品分类 | FET - 模块分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | IXYS |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 分立半导体模块,IXYS IXFN40N90PPolar™ |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IXFN40N90P |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 6.5V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 14000pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 230nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 210 毫欧 @ 20A，10V |
| 产品种类 | 分立半导体模块 |
| 供应商器件封装 | SOT-227B |
| 功率-最大值 | 695W |
| 包装 | 管件 |
| 单位重量 | 38 g |
| 商标 | IXYS |
| 商标名 | HiPerFET |
| 安装类型 | 底座安装 |
| 安装风格 | Screw |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | SOT-227-4，miniBLOC |
| 封装/箱体 | SOT-227B |
| 工厂包装数量 | 10 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 10 |
| 漏源极电压(Vdss) | 900V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 33A |
| 类型 | Polar Power MOSFET |
| 系列 | IXFN40N90 |
| 配置 | Single |
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