Datasheet下载- 型号： IXFN36N60
- 制造商： IXYS
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IXFN36N60由IXYS设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IXFN36N60价格参考。IXYSIXFN36N60封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IXFN36N60参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IXFN36N60 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IXYS品牌的IXFN36N60是一款N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），其主要应用场景包括但不限于以下领域： 1. 开关电源（SMPS）：IXFN36N60具有600V的高耐压能力，适合用作开关电源中的主开关管或同步整流管，能够高效处理高压输入和输出转换。 2. 电机驱动：该器件适用于工业控制、家用电器和电动工具中的电机驱动电路。其低导通电阻（Rds(on)）有助于减少功率损耗并提高效率。 3. 逆变器：在太阳能逆变器或其他类型的电力逆变器中，IXFN36N60可用于实现高效的直流到交流转换，支持可再生能源系统的能量管理。 4. DC-DC转换器：由于其快速开关特性和良好的热性能，该MOSFET非常适合用于各种DC-DC转换器拓扑结构中，如降压、升压或升降压转换器。 5. 负载切换与保护：在需要频繁切换大电流负载的应用中，例如汽车电子系统或通信设备中，IXFN36N60可以提供可靠的负载切换功能，并具备过流保护能力。 6. 电磁兼容性滤波器：在某些应用中，该MOSFET可以用作滤波电路的一部分，帮助抑制电磁干扰（EMI），确保系统的稳定运行。 7. 不间断电源（UPS）：作为关键组件之一，IXFN36N60参与UPS系统的电压调节和能量传输过程，保障电力供应的连续性和安全性。 总之，IXFN36N60凭借其出色的电气特性及可靠性，在众多高压、高频和高效率要求的电力电子应用中发挥重要作用。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 600V 36A SOT-227B |
| 产品分类 | FET - 模块 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | IXYS |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | IXFN36N60 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | HiPerFET™ |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4.5V @ 8mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 9000pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 325nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 180 毫欧 @ 500mA，10V |
| 供应商器件封装 | SOT-227B |
| 功率-最大值 | 520W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 底座安装 |
| 封装/外壳 | SOT-227-4，miniBLOC |
| 标准包装 | 10 |
| 漏源极电压(Vdss) | 600V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 36A |
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