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产品简介:
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参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | MOSFET N-CH 900V 26A SOT-227B |
产品分类 | FET - 模块 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
品牌 | IXYS |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | IXFN26N90 |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | HiPerFET™ |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 5V @ 8mA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 10800pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 240nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 300 毫欧 @ 13A,10V |
供应商器件封装 | SOT-227B |
功率-最大值 | 600W |
包装 | 管件 |
安装类型 | 底座安装 |
封装/外壳 | SOT-227-4,miniBLOC |
标准包装 | 10 |
漏源极电压(Vdss) | 900V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 26A |