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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IXFN140N20P由IXYS设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IXFN140N20P价格参考。IXYSIXFN140N20P封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 底座安装 N 沟道 200V 115A(Tc) 680W(Tc) SOT-227B。您可以下载IXFN140N20P参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IXFN140N20P 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IXFN140N20P是IXYS公司生产的一款MOSFET(金属-氧化物-半导体场效应晶体管),属于单个FET类型。该器件具有以下关键参数:漏源电压(VDS)为200V,连续漏极电流(ID)为140A(在25°C时),以及较低的导通电阻(RDS(on))。这些特性使得IXFN140N20P非常适合应用于高功率、高压和大电流的场合。 应用场景: 1. 电源管理系统: - IXFN140N20P可以用于工业级开关电源(SMPS)中,作为主开关管或同步整流器。其高耐压和大电流能力使其能够在高压输入条件下稳定工作,适用于数据中心、电信基站等需要高效能电源转换的场合。 2. 电机驱动与控制: - 在电动车辆(如电动汽车、叉车)的电机控制器中,IXFN140N20P能够承受高电流和快速开关需求,确保电机平稳运行。此外,它也适合用于工厂自动化设备中的伺服电机驱动器,提供精确的速度和位置控制。 3. 不间断电源(UPS)系统: - 该MOSFET可用于UPS系统的逆变部分,将直流电转换为交流电以供给负载。由于其低导通电阻,可减少发热并提高效率,从而延长电池寿命并降低维护成本。 4. 太阳能逆变器: - 在光伏系统中,IXFN140N20P可用于将太阳能板产生的直流电转换为电网兼容的交流电。其高效的开关性能有助于最大化能量转换效率,减少能量损耗。 5. 焊接设备: - 焊接机通常需要处理高电流脉冲,IXFN140N20P凭借其强大的电流承载能力和良好的热稳定性,能够满足这类应用的需求,确保焊接过程的可靠性和安全性。 总之,IXFN140N20P因其出色的电气性能和可靠性,广泛应用于各种对功率密度、效率和可靠性要求较高的领域。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
ChannelMode | Enhancement |
描述 | MOSFET N-CH 200V 115A SOT227BMOSFET 140 Amps 200V 0.018 Rds |
产品分类 | FET - 模块分离式半导体 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 115 A |
Id-连续漏极电流 | 115 A |
品牌 | IXYS |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,IXYS IXFN140N20PPolarHT™ |
数据手册 | |
产品型号 | IXFN140N20P |
Pd-PowerDissipation | 680 W |
Pd-功率耗散 | 680 W |
Qg-GateCharge | 240 nC |
Qg-栅极电荷 | 240 nC |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 18 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 18 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 200 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 200 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 5 V |
Vgsth-栅源极阈值电压 | 5 V |
上升时间 | 35 ns |
下降时间 | 90 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 5V @ 4mA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 7500pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 240nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 18 毫欧 @ 70A,10V |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | SOT-227B |
典型关闭延迟时间 | 150 ns |
功率-最大值 | 680W |
包装 | 管件 |
单位重量 | 38 g |
商标 | IXYS |
商标名 | PolarHT |
安装类型 | 底座安装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Tube |
封装/外壳 | SOT-227-4,miniBLOC |
封装/箱体 | SOT-227B-4 |
工厂包装数量 | 10 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 175 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 10 |
正向跨导-最小值 | 50 S |
漏源极电压(Vdss) | 200V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 115A |
系列 | IXFN140N20 |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Single Dual Source |