ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单 > IXFN100N50Q3
Datasheet下载- 型号： IXFN100N50Q3
- 制造商： IXYS
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IXFN100N50Q3由IXYS设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IXFN100N50Q3价格参考。IXYSIXFN100N50Q3封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 底座安装 N 沟道 500V 82A（Tc） 960W（Tc） SOT-227B。您可以下载IXFN100N50Q3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IXFN100N50Q3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IXFN100N50Q3 是 IXYS 公司生产的单通道 MOSFET（金属氧化物场效应晶体管），属于 FET 类型的功率半导体器件。该型号具有高电压和大电流处理能力，适用于多种工业和电力电子应用场景。 主要参数： - 耐压：500V - 连续漏极电流：100A（在25°C时） - 导通电阻：7.5mΩ（典型值） - 封装形式：D2PAK 应用场景： 1. 电源管理： - 用于开关电源（SMPS）中的高频开关应用，如DC-DC转换器、AC-DC适配器等。其低导通电阻有助于提高效率，减少发热。 2. 电机驱动： - 在电动车辆、工业自动化设备中，用于驱动直流电机或无刷直流电机（BLDC）。MOSFET 的快速开关特性可以实现精确的速度控制和高效的能量传输。 3. 逆变器与变频器： - 在太阳能逆变器、UPS不间断电源系统中，作为主开关元件，用于将直流电转换为交流电。IXFN100N50Q3 的高耐压和大电流能力使其适合高压环境下的应用。 4. 电池管理系统（BMS）： - 用于电动汽车或储能系统的电池保护电路中，通过快速切断电流来防止过充、过放等问题，确保电池安全运行。 5. 焊接设备： - 在焊接机中作为功率输出级的关键元件，提供稳定的电流输出，确保焊接质量。 6. 工业加热与电磁感应： - 在感应加热设备中，用于控制加热功率，实现高效的能量转换。 总之，IXFN100N50Q3 凭借其优异的电气性能和可靠性，广泛应用于需要高效功率转换和控制的场合，特别是在高电压、大电流的工业环境中表现出色。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 500V 82A SOT-227MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 500V/82A |
| 产品分类 | FET - 模块分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 82 A |
| Id-连续漏极电流 | 82 A |
| 品牌 | IXYS |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,IXYS IXFN100N50Q3HiPerFET™ |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IXFN100N50Q3 |
| Pd-PowerDissipation | 960 W |
| Pd-功率耗散 | 960 W |
| Qg-GateCharge | 255 nC |
| Qg-栅极电荷 | 255 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 49 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 49 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 500 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 500 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 30 V |
| 上升时间 | 250 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 6.5V @ 8mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 13800pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 255nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 49 毫欧 @ 50A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | SOT-227B |
| 功率-最大值 | 960W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | IXYS |
| 商标名 | HiPerFET |
| 安装类型 | 底座安装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | SOT-227-4，miniBLOC |
| 封装/箱体 | SOT-227B-4 |
| 工厂包装数量 | 10 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 标准包装 | 10 |
| 漏源极电压(Vdss) | 500V |
| 特色产品 | http://www.digikey.com/product-highlights/cn/zh/ixys-q3-class-hiperfet-power-mosfet/1012 |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 82A |
| 系列 | IXFN100N50 |
| 配置 | Single |
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