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型号： IXFN100N50Q3
制造商： IXYS
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供IXFN100N50Q3由IXYS设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IXFN100N50Q3价格参考。IXYSIXFN100N50Q3封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单，底座安装 N 沟道 500V 82A（Tc） 960W（Tc） SOT-227B。您可以下载IXFN100N50Q3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IXFN100N50Q3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

IXFN100N50Q3是一款由英飞凌（Infineon）生产的高压功率MOSFET，属于CoolMOS系列。这款器件具有高耐压、低导通电阻和快速开关特性，适用于多种电力电子应用场合。

 主要应用场景：

1. 开关电源（SMPS）：
   IXFN100N50Q3常用于开关电源中的功率变换部分，如AC-DC转换器、DC-DC转换器等。其高耐压特性使其能够承受较高的输入电压，而低导通电阻则有助于减少传导损耗，提高电源效率。此外，其快速开关特性也有助于降低开关损耗，提升整体性能。

2. 逆变器：
   在太阳能逆变器、UPS（不间断电源）和其他类型的逆变器中，IXFN100N50Q3可以用于将直流电转换为交流电。其高耐压特性和低损耗特性使得它在这些应用中表现出色，尤其是在需要处理较高电压和电流的情况下。

3. 电机驱动：
   该器件也适用于电机驱动电路，尤其是大功率电机驱动。它可以用于控制电机的启动、停止和调速，提供高效且可靠的开关功能。其快速开关速度和低导通电阻有助于减少热量产生，延长设备使用寿命。

4. 电动汽车（EV）和混合动力汽车（HEV）：
   在电动汽车和混合动力汽车的电源管理系统中，IXFN100N50Q3可以用于电池管理系统（BMS）、DC-DC转换器和逆变器等关键部件。其高可靠性和高效性能使得它成为这些应用的理想选择。

5. 工业自动化：
   在工业自动化领域，IXFN100N50Q3可以用于各种电力控制设备，如可编程逻辑控制器（PLC）、伺服驱动器等。其高耐压和低损耗特性有助于提高系统的稳定性和效率。

 总结：
IXFN100N50Q3凭借其高耐压、低导通电阻和快速开关特性，在开关电源、逆变器、电机驱动、电动汽车和工业自动化等领域有着广泛的应用。其高效能和可靠性使其成为许多电力电子设计中的首选器件。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品半导体
描述	MOSFET N-CH 500V 82A SOT-227MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 500V/82A
产品分类	FET - 模块分离式半导体
FET功能	标准
FET类型	MOSFET N 通道，金属氧化物
Id-ContinuousDrainCurrent	82 A
Id-连续漏极电流	82 A
品牌	IXYS
产品手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
rohs	符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	晶体管,MOSFET,IXYS IXFN100N50Q3HiPerFET™
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品型号	IXFN100N50Q3
Pd-PowerDissipation	960 W
Pd-功率耗散	960 W
Qg-GateCharge	255 nC
Qg-栅极电荷	255 nC
RdsOn-Drain-SourceResistance	49 mOhms
RdsOn-漏源导通电阻	49 mOhms
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage	500 V
Vds-漏源极击穿电压	500 V
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage	30 V
Vgs-栅源极击穿电压	30 V
上升时间	250 ns
不同Id时的Vgs(th)（最大值）	6.5V @ 8mA
不同Vds时的输入电容(Ciss)	13800pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)	255nC @ 10V
不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值）	49 毫欧 @ 50A，10V
产品种类	MOSFET
供应商器件封装	SOT-227B
功率-最大值	960W
包装	管件
商标	IXYS
商标名	HiPerFET
安装类型	底座安装
安装风格	SMD/SMT
封装	Tube
封装/外壳	SOT-227-4，miniBLOC
封装/箱体	SOT-227B-4
工厂包装数量	10
晶体管极性	N-Channel
标准包装	10
漏源极电压(Vdss)	500V
特色产品	http://www.digikey.com/product-highlights/cn/zh/ixys-q3-class-hiperfet-power-mosfet/1012
电流-连续漏极(Id)（25°C时）	82A
系列	IXFN100N50
配置	Single