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  • 型号: IXFK98N50P3
  • 制造商: IXYS
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供IXFK98N50P3由IXYS设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IXFK98N50P3价格参考。IXYSIXFK98N50P3封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IXFK98N50P3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IXFK98N50P3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

描述

MOSFET N-CH 500V 98A TO264MOSFET 500V 98A 0.05Ohm PolarP3 Power MOSFET

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

98 A

Id-连续漏极电流

98 A

品牌

IXYS

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,IXYS IXFK98N50P3Polar3™ HiPerFET™

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产品型号

IXFK98N50P3

Pd-PowerDissipation

1300 W

Pd-功率耗散

1.3 kW

Qg-GateCharge

197 nC

Qg-栅极电荷

197 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

50 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

50 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

500 V

Vds-漏源极击穿电压

500 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

30 V

Vgs-栅源极击穿电压

30 V

Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage

5 V

Vgsth-栅源极阈值电压

5 V

上升时间

8 ns

下降时间

6 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

5V @ 8mA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

13100pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

197nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

50 毫欧 @ 500mA,10V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

TO-264AA (IXFK)

功率-最大值

1300W

包装

管件

商标

IXYS

安装类型

通孔

安装风格

Through Hole

封装

Tube

封装/外壳

TO-264-3,TO-264AA

封装/箱体

TO-264-3

工厂包装数量

25

晶体管极性

N-Channel

标准包装

25

正向跨导-最小值

96 S, 58 S

漏源极电压(Vdss)

500V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

98A (Tc)

系列

IXFK98N50

配置

Single

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