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型号： IXFK94N50P2
制造商： IXYS
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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IXFK94N50P2产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供IXFK94N50P2由IXYS设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IXFK94N50P2价格参考￥24.32-￥24.32。IXYSIXFK94N50P2封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单，通孔 N 沟道 500V 94A（Tc） 1300W（Tc） TO-264AA（IXFK）。您可以下载IXFK94N50P2参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IXFK94N50P2 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
描述	MOSFET N-CH 500V 94A TO264MOSFET PolarP2 Power MOSFET
产品分类	FET - 单分离式半导体
FET功能	标准
FET类型	MOSFET N 通道，金属氧化物
Id-ContinuousDrainCurrent	94 A
Id-连续漏极电流	94 A
品牌	IXYS
产品手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
rohs	符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	晶体管,MOSFET,IXYS IXFK94N50P2PolarP2™ HiPerFET™
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品型号	IXFK94N50P2
Pd-PowerDissipation	1300 W
Pd-功率耗散	1.3 kW
RdsOn-Drain-SourceResistance	55 mOhms
RdsOn-漏源导通电阻	55 mOhms
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage	500 V
Vds-漏源极击穿电压	500 V
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage	+/- 30 V
Vgs-栅源极击穿电压	30 V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）	5V @ 8mA
不同Vds时的输入电容(Ciss)	13700pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)	220nC @ 10V
不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值）	55 毫欧 @ 500mA，10V
产品种类	MOSFET
供应商器件封装	TO-264AA （IXFK）
功率-最大值	1300W
包装	管件
单位重量	10 g
商标	IXYS
商标名	Polar2 HiPerFET
安装类型	通孔
安装风格	Through Hole
封装	Tube
封装/外壳	TO-264-3，TO-264AA
封装/箱体	TO-264-3
工厂包装数量	25
晶体管极性	N-Channel
最大工作温度	+ 150 C
最小工作温度	- 55 C
标准包装	25
漏源极电压(Vdss)	500V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）	94A （Tc）
系列	IXFK94N50
配置	Single