ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单 > IXFK80N50P
Datasheet下载- 型号： IXFK80N50P
- 制造商： IXYS
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IXFK80N50P由IXYS设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IXFK80N50P价格参考。IXYSIXFK80N50P封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 通孔 N 沟道 500V 80A（Tc） 1040W（Tc） TO-264AA（IXFK）。您可以下载IXFK80N50P参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IXFK80N50P 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IXFK80N50P是由IXYS公司生产的单个MOSFET（金属氧化物场效应晶体管），属于FET（场效应晶体管）类别。该器件具有特定的电气特性和应用场景，适用于多种电力电子设备中。 1. 电气特性： IXFK80N50P是一款N沟道增强型MOSFET，其额定电压为500V，连续漏极电流（ID）为80A。它采用了先进的功率MOSFET技术，具备低导通电阻（RDS(on)）、快速开关速度和高雪崩能量吸收能力。这些特性使得该器件在高压、大电流的应用环境中表现出色。 2. 应用场景： - 电源转换器： IXFK80N50P广泛应用于各种类型的开关模式电源（SMPS），如AC-DC适配器、不间断电源（UPS）、逆变器等。其高耐压和大电流特性使其能够承受输入电压波动，并有效提高转换效率。 - 电机驱动： 在工业自动化领域，该MOSFET可用于控制直流电机或步进电机的速度与方向。由于其快速的开关响应时间，可以实现精确的调速控制，同时降低能耗。 - 太阳能光伏系统： 作为光伏逆变器中的关键组件之一，IXFK80N50P有助于将太阳能板产生的直流电转换为交流电并接入电网。其优良的热性能和可靠性保证了系统的长期稳定运行。 - 电动汽车： 在电动车的动力总成系统中，这款MOSFET可以用于电池管理系统（BMS）、车载充电器以及电动机控制器等部件，以确保高效且安全的能量传输。 综上所述，IXFK80N50P凭借其出色的电气参数，在众多需要高效能、高可靠性的电力电子应用场合中发挥着重要作用。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 500V 80A TO-264MOSFET 500V 80A |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 80 A |
| Id-连续漏极电流 | 80 A |
| 品牌 | IXYS |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,IXYS IXFK80N50PPolarHV™ HiPerFET™ |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IXFK80N50P |
| Pd-PowerDissipation | 1040 W |
| Pd-功率耗散 | 1040 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 65 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 65 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 500 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 500 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 30 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 30 V |
| 上升时间 | 27 ns |
| 下降时间 | 16 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 5V @ 8mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 12700pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 197nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 65 毫欧 @ 40A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-264AA （IXFK） |
| 典型关闭延迟时间 | 70 ns |
| 功率-最大值 | 1040W |
| 包装 | 管件 |
| 单位重量 | 10 g |
| 商标 | IXYS |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-264-3，TO-264AA |
| 封装/箱体 | TO-264-3 |
| 工厂包装数量 | 25 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 25 |
| 正向跨导-最小值 | 70 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 500V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 80A （Tc） |
| 系列 | IXFK80N50 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
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