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Datasheet下载- 型号： IXFK40N90P
- 制造商： IXYS
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IXFK40N90P由IXYS设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IXFK40N90P价格参考。IXYSIXFK40N90P封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 通孔 N 沟道 900V 40A（Tc） 960W（Tc） TO-264AA（IXFK）。您可以下载IXFK40N90P参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IXFK40N90P 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IXYS公司的IXFK40N90P是一款单通道MOSFET（金属-氧化物-半导体场效应晶体管），广泛应用于各种电力电子设备中。该型号属于N沟道增强型MOSFET，具有以下特点和应用场景： 1. 高压应用 IXFK40N90P的最大漏源电压（VDS）为900V，适用于高压环境下的开关应用。它能够在高电压条件下稳定工作，适合用于工业电源、逆变器、电机驱动等需要处理高电压的场景。 2. 低导通电阻 该器件的导通电阻（RDS(on)）在典型条件下为4.5Ω，较低的导通电阻有助于减少功率损耗，提高系统的效率。因此，它适用于需要高效能转换的应用，如太阳能逆变器、不间断电源（UPS）、以及电动汽车充电系统等。 3. 快速开关特性 IXFK40N90P具备较快的开关速度，能够有效降低开关损耗，提升系统的整体性能。这使得它在高频开关电源、DC-DC转换器、AC-DC转换器等场合表现出色，尤其是在要求高频率工作的应用中。 4. 温度稳定性 该MOSFET的工作温度范围较广，从-55°C到+175°C，适用于恶劣环境下的长时间稳定运行。它可以在高温环境下保持良好的性能，因此常用于工业控制、航空航天、军事设备等对温度敏感的领域。 5. 保护功能 IXFK40N90P内置了多种保护机制，如过热保护、过流保护等，确保在异常情况下不会损坏。这使得它在一些对可靠性要求较高的应用场景中表现优异，例如电动工具、家电产品等。 6. 紧凑封装 该器件采用TO-220封装，体积小巧，便于安装和散热设计。它适合用于空间有限的电路板设计，同时也能通过外部散热片或散热器来进一步提高散热效果。 综上所述，IXFK40N90P主要应用于高压、高频、高效能的电力电子设备中，如电源管理、电机控制、逆变器、充电桩等领域。其出色的电气性能和可靠性使其成为许多工程师在设计时的首选。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH TO-264MOSFET PolarHV HiPerFETs 500V-1.2Kv Red Rds |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 40 A |
| Id-连续漏极电流 | 40 A |
| 品牌 | IXYS |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,IXYS IXFK40N90PPolar™ HiPerFET™ |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IXFK40N90P |
| Pd-PowerDissipation | 960 W |
| Pd-功率耗散 | 960 W |
| Qg-GateCharge | 230 nC |
| Qg-栅极电荷 | 230 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 210 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 210 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 900 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 900 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 3.5 V to 6.5 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 3.5 V to 6.5 V |
| 上升时间 | 50 ns |
| 下降时间 | 46 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 6.5V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 14000pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 230nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 230 毫欧 @ 20A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-264AA （IXFK） |
| 典型关闭延迟时间 | 77 ns |
| 功率-最大值 | 960W |
| 包装 | 管件 |
| 单位重量 | 10 g |
| 商标 | IXYS |
| 商标名 | HiPerFET |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-264-3，TO-264AA |
| 封装/箱体 | TO-264-3 |
| 工厂包装数量 | 25 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 25 |
| 正向跨导-最小值 | 30 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 900V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 40A （Tc） |
| 系列 | IXFK40N90 |
| 配置 | Single |
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