ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单 > IXFK40N90P
Datasheet下载- 型号： IXFK40N90P
- 制造商： IXYS
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IXFK40N90P由IXYS设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IXFK40N90P价格参考。IXYSIXFK40N90P封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 通孔 N 沟道 900V 40A（Tc） 960W（Tc） TO-264AA（IXFK）。您可以下载IXFK40N90P参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IXFK40N90P 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IXFK40N90P是一款由IXYS公司生产的N沟道功率MOSFET（金属氧化物场效应晶体管），其主要特点包括低导通电阻、高击穿电压和快速开关特性。这款器件适用于多种电力电子应用，尤其是在需要高效能和高可靠性的场合中表现优异。 IXFK40N90P的最大漏源电压Vds为900V，这使得它非常适合用于高压环境下的电路设计，如电源转换器、逆变器以及电机驱动等系统。在这些应用场景中，它可以承受较高的瞬态电压而不至于损坏，确保了系统的稳定运行。 此外，该器件的连续漏极电流Id可达40A（在25°C时），并且具有较低的导通电阻Rds(on)，这有助于减少传导损耗并提高效率。因此，在工业自动化设备、电动汽车充电站、太阳能光伏逆变器等领域，IXFK40N90P能够提供出色的性能。 由于其快速开关速度，IXFK40N90P还适用于高频开关电源的设计。例如，在不间断电源(UPS)或DC-DC转换器中使用时，可以有效降低开关损耗，提升整体转换效率。同时，它的紧凑封装形式也便于工程师进行PCB布局优化，节省空间。 总之，IXFK40N90P凭借其优秀的电气参数和物理特性，成为众多电力电子项目中的理想选择，特别是在那些对电压等级要求较高且追求高效节能的应用领域。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH TO-264MOSFET PolarHV HiPerFETs 500V-1.2Kv Red Rds |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 40 A |
| Id-连续漏极电流 | 40 A |
| 品牌 | IXYS |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,IXYS IXFK40N90PPolar™ HiPerFET™ |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IXFK40N90P |
| Pd-PowerDissipation | 960 W |
| Pd-功率耗散 | 960 W |
| Qg-GateCharge | 230 nC |
| Qg-栅极电荷 | 230 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 210 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 210 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 900 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 900 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 3.5 V to 6.5 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 3.5 V to 6.5 V |
| 上升时间 | 50 ns |
| 下降时间 | 46 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 6.5V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 14000pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 230nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 230 毫欧 @ 20A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-264AA （IXFK） |
| 典型关闭延迟时间 | 77 ns |
| 功率-最大值 | 960W |
| 包装 | 管件 |
| 单位重量 | 10 g |
| 商标 | IXYS |
| 商标名 | HiPerFET |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-264-3，TO-264AA |
| 封装/箱体 | TO-264-3 |
| 工厂包装数量 | 25 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 25 |
| 正向跨导-最小值 | 30 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 900V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 40A （Tc） |
| 系列 | IXFK40N90 |
| 配置 | Single |
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