数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
+xxxx | $xxxx | ¥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IXFK32N100P由IXYS设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IXFK32N100P价格参考。IXYSIXFK32N100P封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IXFK32N100P参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IXFK32N100P 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
ChannelMode | Enhancement |
描述 | MOSFET N-CH 1000V 32A TO-264MOSFET 32 Amps 1000V 0.32 Rds |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 32 A |
Id-连续漏极电流 | 32 A |
品牌 | IXYS |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,IXYS IXFK32N100PPolar™ HiPerFET™ |
数据手册 | |
产品型号 | IXFK32N100P |
Pd-PowerDissipation | 960 W |
Pd-功率耗散 | 960 W |
Qg-GateCharge | 225 nC |
Qg-栅极电荷 | 225 nC |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 320 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 320 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 1 kV |
Vds-漏源极击穿电压 | 1 kV |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 30 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 30 V |
Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 6.5 V |
Vgsth-栅源极阈值电压 | 6.5 V |
上升时间 | 55 ns |
下降时间 | 43 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 6.5V @ 1mA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 14200pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 225nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 320 毫欧 @ 16A,10V |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | TO-264AA (IXFK) |
典型关闭延迟时间 | 76 ns |
功率-最大值 | 960W |
包装 | 管件 |
单位重量 | 10 g |
商标 | IXYS |
商标名 | Polar, HiPerFET |
安装类型 | 通孔 |
安装风格 | Through Hole |
封装 | Tube |
封装/外壳 | TO-264-3,TO-264AA |
封装/箱体 | TO-264-3 |
工厂包装数量 | 25 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 25 |
正向跨导-最小值 | 13 S |
漏源极电压(Vdss) | 1000V(1kV) |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 32A (Tc) |
系列 | IXFK32N100 |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Single |