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  • 型号: IXFK24N100
  • 制造商: IXYS
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供IXFK24N100由IXYS设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IXFK24N100价格参考。IXYSIXFK24N100封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 N 沟道 1000V 24A(Tc) 560W(Tc) TO-264AA(IXFK)。您可以下载IXFK24N100参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IXFK24N100 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

IXYS品牌的IXFK24N100是一款N沟道增强型MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),属于晶体管 - FET,MOSFET - 单类。以下是其典型应用场景:

 1. 开关电源(SMPS)
   - IXFK24N100具有高电压耐受能力(1000V击穿电压),适用于高压开关电源中的功率开关。
   - 常用于AC-DC转换器、DC-DC转换器等场景,提供高效稳定的电力转换。

 2. 逆变器
   - 在太阳能逆变器或电机驱动逆变器中,该MOSFET可作为主功率开关器件。
   - 其高耐压特性和低导通电阻(Rds(on)为2.4Ω)使其能够在高频开关条件下保持较低的功耗。

 3. 电机驱动
   - 用于高压直流电机的启动和控制,尤其是需要高电压驱动的应用场合。
   - 适用于工业自动化设备、电动工具以及家电中的电机驱动电路。

 4. 脉宽调制(PWM)控制器
   - 在PWM信号驱动的负载控制中,IXFK24N100可以快速切换以调节输出功率。
   - 例如,LED驱动器、加热器控制和风扇速度调节等应用。

 5. 保护电路
   - 由于其高耐压特性,该MOSFET可用于过压保护、短路保护和负载开关等电路。
   - 在汽车电子、工业设备和其他高压系统中,提供可靠的保护功能。

 6. 高压脉冲发生器
   - 在需要生成高压脉冲的设备中(如医疗成像设备、测试仪器等),IXFK24N100能够满足高电压需求。

 特性总结:
- 高击穿电压(1000V):适合高压环境。
- 低导通电阻(2.4Ω):降低功率损耗。
- 快速开关性能:适用于高频应用。
- 良好的热稳定性:确保长时间可靠运行。

因此,IXFK24N100广泛应用于高压、高频和大功率场景,是许多工业和消费电子产品中的关键元件。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET N-CH 1KV 24A TO-264AA

产品分类

FET - 单

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

品牌

IXYS

数据手册

点击此处下载产品Datasheet

产品图片

产品型号

IXFK24N100

rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

HiPerFET™

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

5.5V @ 8mA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

8700pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

267nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

390 毫欧 @ 12A,10V

供应商器件封装

TO-264AA (IXFK)

功率-最大值

560W

包装

管件

安装类型

通孔

封装/外壳

TO-264-3,TO-264AA

标准包装

25

漏源极电压(Vdss)

1000V(1kV)

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

24A (Tc)

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