ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 单 > IXFK24N100
数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
+xxxx | $xxxx | ¥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IXFK24N100由IXYS设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IXFK24N100价格参考。IXYSIXFK24N100封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 N 沟道 1000V 24A(Tc) 560W(Tc) TO-264AA(IXFK)。您可以下载IXFK24N100参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IXFK24N100 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IXYS品牌的IXFK24N100是一款N沟道增强型MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),属于晶体管 - FET,MOSFET - 单类。以下是其典型应用场景: 1. 开关电源(SMPS) - IXFK24N100具有高电压耐受能力(1000V击穿电压),适用于高压开关电源中的功率开关。 - 常用于AC-DC转换器、DC-DC转换器等场景,提供高效稳定的电力转换。 2. 逆变器 - 在太阳能逆变器或电机驱动逆变器中,该MOSFET可作为主功率开关器件。 - 其高耐压特性和低导通电阻(Rds(on)为2.4Ω)使其能够在高频开关条件下保持较低的功耗。 3. 电机驱动 - 用于高压直流电机的启动和控制,尤其是需要高电压驱动的应用场合。 - 适用于工业自动化设备、电动工具以及家电中的电机驱动电路。 4. 脉宽调制(PWM)控制器 - 在PWM信号驱动的负载控制中,IXFK24N100可以快速切换以调节输出功率。 - 例如,LED驱动器、加热器控制和风扇速度调节等应用。 5. 保护电路 - 由于其高耐压特性,该MOSFET可用于过压保护、短路保护和负载开关等电路。 - 在汽车电子、工业设备和其他高压系统中,提供可靠的保护功能。 6. 高压脉冲发生器 - 在需要生成高压脉冲的设备中(如医疗成像设备、测试仪器等),IXFK24N100能够满足高电压需求。 特性总结: - 高击穿电压(1000V):适合高压环境。 - 低导通电阻(2.4Ω):降低功率损耗。 - 快速开关性能:适用于高频应用。 - 良好的热稳定性:确保长时间可靠运行。 因此,IXFK24N100广泛应用于高压、高频和大功率场景,是许多工业和消费电子产品中的关键元件。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | MOSFET N-CH 1KV 24A TO-264AA |
产品分类 | FET - 单 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
品牌 | IXYS |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | IXFK24N100 |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | HiPerFET™ |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 5.5V @ 8mA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 8700pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 267nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 390 毫欧 @ 12A,10V |
供应商器件封装 | TO-264AA (IXFK) |
功率-最大值 | 560W |
包装 | 管件 |
安装类型 | 通孔 |
封装/外壳 | TO-264-3,TO-264AA |
标准包装 | 25 |
漏源极电压(Vdss) | 1000V(1kV) |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 24A (Tc) |