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Datasheet下载- 型号： IXFK120N20P
- 制造商： IXYS
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IXFK120N20P由IXYS设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IXFK120N20P价格参考。IXYSIXFK120N20P封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 通孔 N 沟道 200V 120A（Tc） 714W（Tc） TO-264AA（IXFK）。您可以下载IXFK120N20P参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IXFK120N20P 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IXYS公司生产的IXFK120N20P是一款N沟道功率MOSFET，主要用于需要高效开关和低导通电阻的应用场景。以下是该型号MOSFET的主要应用场景： 1. 电源管理 IXFK120N20P适用于各种电源管理电路，如开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、AC-DC转换器等。其低导通电阻（Rds(on)）特性有助于减少传导损耗，提高电源效率。在这些应用中，MOSFET作为开关元件，能够快速响应电压和电流的变化，确保电源系统的稳定性和高效性。 2. 电机驱动 在电机驱动应用中，IXFK120N20P可以用于控制电机的启动、停止和速度调节。它能够承受较大的电流波动，并且具有较低的导通电阻，减少了发热问题，延长了器件的使用寿命。常见的应用场景包括无刷直流电机（BLDC）、步进电机等。 3. 逆变器 逆变器是将直流电转换为交流电的设备，广泛应用于太阳能发电系统、不间断电源（UPS）等领域。IXFK120N20P可以在逆变器中用作开关元件，实现高效的直流到交流转换。其快速开关特性和低损耗特性使得它在高频逆变器中表现出色。 4. 电池管理系统（BMS） 在电池管理系统中，IXFK120N20P可以用于电池充放电控制、过流保护和短路保护等。它能够在高电流条件下保持低导通电阻，减少能量损失，并且具备良好的热稳定性，确保电池系统的安全性和可靠性。 5. 工业自动化 在工业自动化领域，IXFK120N20P可用于各种控制系统中的开关操作，如电磁阀、继电器驱动等。它的高耐压（200V）和大电流能力使其能够在恶劣的工业环境中稳定工作，提供可靠的开关功能。 6. 消费电子 在消费电子产品中，IXFK120N20P可以用于笔记本电脑、平板电脑、智能手机等设备的电源管理模块。它的小型封装和高效性能使其成为便携式设备的理想选择，能够有效延长电池寿命并提高设备的整体性能。 总之，IXFK120N20P凭借其优异的电气性能和可靠性，广泛应用于电源管理、电机驱动、逆变器、电池管理系统以及工业自动化等领域，满足了多种复杂应用场景的需求。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 200V 120A TO-264MOSFET 120 Amps 200V 0.022 Rds |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 120 A |
| Id-连续漏极电流 | 120 A |
| 品牌 | IXYS |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,IXYS IXFK120N20PPolar™ HiPerFET™ |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IXFK120N20P |
| Pd-PowerDissipation | 714 W |
| Pd-功率耗散 | 714 W |
| Qg-GateCharge | 152 nC |
| Qg-栅极电荷 | 152 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 22 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 22 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 200 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 200 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 5 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 5 V |
| 上升时间 | 35 ns |
| 下降时间 | 31 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 5V @ 4mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 6000pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 152nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 22 毫欧 @ 500mA，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-264AA （IXFK） |
| 典型关闭延迟时间 | 100 ns |
| 功率-最大值 | 714W |
| 包装 | 散装 |
| 单位重量 | 10 g |
| 商标 | IXYS |
| 商标名 | PolarHT |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-264-3，TO-264AA |
| 封装/箱体 | TO-264-3 |
| 工厂包装数量 | 25 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 25 |
| 正向跨导-最小值 | 40 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 200V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 120A （Tc） |
| 系列 | IXFK120N20 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
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