Preliminary Data Sheet V I R t DSS D25 DS(on) rr HiPerFETTM IXFH8N80 800V 8A 1.1W 250 ns Power MOSFETs IXFH9N80 800V 9A 0.9W 250 ns N-Channel Enhancement Mode High dv/dt, Low t , HDMOSTM Family rr TO-247 AD (IXFH) Symbol Test Conditions Maximum Ratings V T = 25(cid:176) C to 150(cid:176) C 800 V DSS J V T = 25(cid:176) C to 150(cid:176) C; R = 1 MW 800 V DGR J GS V Continuous – 20 V GS V Transient – 30 V TO-247 SMD* GSM I T = 25(cid:176) C 8N80 8 A D25 C 9N80 9 A I T = 25(cid:176) C, pulse width limited by T 8N80 32 A DM C JM 9N80 36 A G D (TAB) I T = 25(cid:176) C 8N80 8 A S AR C 9N80 9 A G= Gate D = Drain E T = 25(cid:176) C 18 mJ S = Source TAB = Drain AR C dv/dt I £ I , di/dt £ 100 A/m s, V £ V , 5 V/ns *Add suffix letter "S" for surface mountable S DM DD DSS T £ 150(cid:176) C, R = 2 W package J G P T = 25(cid:176) C 180 W D C T -55 ... +150 (cid:176) C J T 150 (cid:176) C JM Features T -55 ... +150 (cid:176) C stg M Mounting torque 1.13/10Nm/lb.in. • International standard packages d • Low R HDMOSTM process Weight TO-204 = 18 g, TO-247 = 6 g • RuggeDdS p(ono)lysilicon gate cell structure Maximum lead temperature for soldering 300 (cid:176) C • Unclamped Inductive Switching (UIS) rated 1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s • Low package inductance - easy to drive and to protect Symbol Test Conditions Characteristic Values • Fast intrinsic Rectifier (T = 25(cid:176) C, unless otherwise specified) J Applications min. typ. max. • DC-DC converters V V = 0 V, I = 3 mA 800 V DSS GS D • Battery chargers VDSS temperature coefficient 0.088 %/K • Switched-mode and resonant-mode power supplies V V = V , I = 2.5 mA 2 4.5 V GS(th) VDS teGmSpDerature coefficient -0.257 %/K • DC choppers GS(th) • AC motor control I V = – 20 V , V = 0 – 100 nA • Temperature and lighting controls GSS GS DC DS Advantages I V = 0.8 (cid:149) V T = 25(cid:176) C 250 m A DSS DS DSS J V = 0 V T = 125(cid:176) C 1 mA GS J • Easy to mount with 1 screw (TO-247) (isolated mounting screw hole) R V = 10 V, I = 0.5 (cid:149) I 8N80 1.1 W DS(on) PGuSlse test, t £D 300 m s, Dd25uty cycle d £ 2% 9N80 0.9 W • Space savings • High power density ' 1997 IXYS All rights reserved 96527A (8/97)

IXFH8N80 IXFH9N80 TO-247 AD (IXFH) Outline Symbol Test Conditions Characteristic Values (T = 25(cid:176) C, unless otherwise specified) J min. typ. max. g V = 10 V; I = 0.5 (cid:149) I , pulse test 4 7 S fs DS D D25 C 2600 pF iss C V = 0 V, V = 25 V, f = 1 MHz 240 pF oss GS DS C 60 pF rss t 35 ns d(on) t V = 10 V, V = 0.5 (cid:149) V , I = 0.5 (cid:149) I 15 ns r GS DS DSS D D25 t R = 4.7 W (External) 70 ns d(off) G t 35 ns f Q 85 130 nC g(on) Q V = 10 V, V = 0.5 (cid:149) V , I = 0.5 (cid:149) I 15 30 nC gs GS DS DSS D D25 Q 40 70 nC gd R 0.7 K/W thJC R 0.25 K/W thCK TO-247 SMD Outline Source-Drain Diode Characteristic Values (T = 25(cid:176) C, unless otherwise specified) J Symbol Test Conditions min. typ. max. I V = 0 8N80 8 A S GS 9N80 9 A I Repetitive; pulse width limited by T 8N80 32 A SM JM 9N80 36 A V I = I , V = 0 V, 1.5 V SD F S GS Pulse test, t £ 300 m s, duty cycle d £ 2 % t T = 25(cid:176) C 250 ns rr J T = 125(cid:176) C 400 ns 1.Gate 3. Source I = I J 2.Drain 4. Drain F S Q -di/dt = 100 A/m s, T = 25(cid:176) C 0.5 m C Dim. Millimeter Inches RM V = 100 V TJ = 125(cid:176) C 1.0 m C Min. Max. Min. Max. R J A 4.83 5.21 .190 .205 A1 2.29 2.54 .090 .100 I T = 25(cid:176) C 7.5 A A2 1.91 2.16 .075 .085 RM J T = 125(cid:176) C 9.0 A b 1.14 1.40 .045 .055 J b1 1.91 2.13 .075 .084 C 0.61 0.80 .024 .031 D 20.80 21.34 .819 .840 E 15.75 16.13 .620 .635 e 5.45 BSC .215 BSC L 4.90 5.10 .193 .201 L1 2.70 2.90 .106 .114 L2 2.10 2.30 .083 .091 L3 0.00 0.10 .00 .004 L4 1.90 2.10 .075 .083 (cid:216)P 3.55 3.65 .140 .144 Q 5.59 6.20 .220 .244 R 4.32 4.83 .170 .190 S 6.15 BSC .242 BSC IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions. IXYS MOSFETS and IGBTs are covered by one or more of the following U.S. patents: 4,835,592 4,881,106 5,017,508 5,049,961 5,187,117 5,486,715 4,850,072 4,931,844 5,034,796 5,063,307 5,237,481 5,381,025

IXFH8N80 IXFH9N80 Figure 1. Output Characteristics at 25OC Figure 2. Output Characteristics at 125OC (cid:20)(cid:19) (cid:20)(cid:19) 9 (cid:20)(cid:19)9 7-(cid:3) (cid:3)(cid:21)(cid:24)2& *6 (cid:25)9 7-(cid:3) (cid:3)(cid:20)(cid:21)(cid:24)2& 9*6 (cid:20)(cid:19)9 (cid:25)9 (cid:27) (cid:27) (cid:24)9 HUHV (cid:25) (cid:24)9 HUHV (cid:25) S S P P (cid:3)(cid:16)(cid:3)$’ (cid:23) (cid:3)(cid:16)(cid:3)$’ (cid:23) , , (cid:21) (cid:21) (cid:19) (cid:19) (cid:19) (cid:21) (cid:23) (cid:25) (cid:27) (cid:20)(cid:19) (cid:19) (cid:23) (cid:27) (cid:20)(cid:21) (cid:20)(cid:25) (cid:21)(cid:19) 9 (cid:3)(cid:16)(cid:3)9ROWV 9 (cid:3)(cid:16)(cid:3)9ROWV ’6 ’6 Figure 3. R normalized to 15A/25OC vs. I Figure 4. R normalized to 15A/25OC vs. T DS(on) D DS(on) J (cid:20)(cid:17)(cid:23) (cid:21)(cid:17)(cid:23) 7(cid:3) (cid:3)(cid:21)(cid:24)2& - 9 (cid:3)(cid:20)(cid:19)9 9 (cid:3) (cid:3)(cid:20)(cid:19)9 *6(cid:3) *6 HG (cid:20)(cid:17)(cid:21) HG (cid:21)(cid:17)(cid:19) OL] OL] D D , (cid:3)(cid:23)$ UP UP ’(cid:3) R (cid:20)(cid:17)(cid:19) R (cid:20)(cid:17)(cid:25) 1 1 (cid:3)(cid:16)(cid:3)1(cid:12) (cid:3)(cid:16)(cid:3)1(cid:12) (cid:11)2 (cid:11)2 6 6 ’ (cid:19)(cid:17)(cid:27) ’ (cid:20)(cid:17)(cid:21) 5 5 (cid:19)(cid:17)(cid:25) (cid:19)(cid:17)(cid:27) (cid:19) (cid:21) (cid:23) (cid:25) (cid:27) (cid:20)(cid:19) (cid:21)(cid:24) (cid:24)(cid:19) (cid:26)(cid:24) (cid:20)(cid:19)(cid:19) (cid:20)(cid:21)(cid:24) (cid:20)(cid:24)(cid:19) , (cid:3)(cid:16)(cid:3)$PSHUHV 7 (cid:3)(cid:16)(cid:3)’ HJUHHV(cid:3)& ’ - Figure 5. Drain Current vs. Case Temperature Figure 6. Admittance Curves (cid:20)(cid:19) (cid:20)(cid:19) (cid:3) ,;)+(cid:28)1(cid:27)(cid:19) (cid:27) (cid:27) HUHV (cid:25) ,;)+(cid:27)1(cid:27)(cid:19) HUHV (cid:25) 7-(cid:3) (cid:3)(cid:20)(cid:21)(cid:24)R& S S P P ,(cid:3)(cid:16)(cid:3)$’ (cid:23) ,(cid:3)(cid:16)(cid:3)$’ (cid:23) 7-(cid:3) (cid:3)(cid:21)(cid:24)R& (cid:21) (cid:21) (cid:19) (cid:19) (cid:16)(cid:24)(cid:19) (cid:16)(cid:21)(cid:24) (cid:19) (cid:21)(cid:24) (cid:24)(cid:19) (cid:26)(cid:24) (cid:20)(cid:19)(cid:19) (cid:20)(cid:21)(cid:24) (cid:20)(cid:24)(cid:19) (cid:20) (cid:21) (cid:22) (cid:23) (cid:24) (cid:25) 7 (cid:3)(cid:16)(cid:3)’ HJUHHV(cid:3)& 9 (cid:3)(cid:16)(cid:3)9ROWV & *6 ' 1997 IXYS All rights reserved

IXFH8N80 IXFH9N80 Figure 7. Gate Charge Figure 8. Capacitance Curves (cid:20)(cid:21) (cid:20)(cid:19)(cid:19)(cid:19)(cid:19) (cid:20)(cid:19) 9 (cid:3)(cid:23)(cid:19)(cid:19)9 ’6(cid:3) (cid:3)(cid:3)(cid:3), (cid:3)(cid:23)$ ) OWV (cid:27) (cid:3)(cid:3)(cid:3),’*(cid:3)(cid:3) (cid:3)(cid:20)P$ H(cid:3)(cid:16)(cid:3)S (cid:20)(cid:19)(cid:19)(cid:19) &LVV I(cid:3) (cid:3)(cid:20)0+] R F (cid:3)(cid:16)(cid:3)9 (cid:25) LWDQ &RVV 6 F * D 9 (cid:23) DS (cid:20)(cid:19)(cid:19) & &UVV (cid:21) (cid:19) (cid:20)(cid:19) (cid:19) (cid:21)(cid:19) (cid:23)(cid:19) (cid:25)(cid:19) (cid:27)(cid:19) (cid:20)(cid:19)(cid:19) (cid:20)(cid:21)(cid:19) (cid:19) (cid:24) (cid:20)(cid:19) (cid:20)(cid:24) (cid:21)(cid:19) (cid:21)(cid:24) (cid:22)(cid:19) (cid:22)(cid:24) (cid:23)(cid:19) *DWH(cid:3)&KDUJH(cid:3)(cid:16)(cid:3)Q& 9 (cid:3)(cid:16)(cid:3)9ROWV ’6 Figure 9. Forward Voltage Drop of the Intrinsic Diode Figure10. Forward Bias Safe Operating Area (cid:20)(cid:19) (cid:22)(cid:21) (cid:27) 10 V V H H U U (cid:25) H H S (cid:3)(cid:16)(cid:3)$PS (cid:23) 7-(cid:3) (cid:3)(cid:20)(cid:21)(cid:24)2& (cid:3)(cid:16)(cid:3)$P (cid:20)(cid:20)(cid:3)(cid:19)P(cid:3)V ,’ ,’ 1 7 (cid:3) (cid:3)(cid:21)(cid:24)2& PV 7-(cid:3) (cid:3)(cid:21)(cid:24)2& & (cid:20)(cid:19)(cid:19)(cid:3) (cid:21) PV ’& (cid:19) 0.1 (cid:19)(cid:17)(cid:19) (cid:19)(cid:17)(cid:21) (cid:19)(cid:17)(cid:23) (cid:19)(cid:17)(cid:25) (cid:19)(cid:17)(cid:27) (cid:20)(cid:17)(cid:19) 1 10 100 (cid:27)(cid:19)(cid:19) 9 (cid:3)(cid:16)(cid:3)(cid:3)9ROWV 6’ 9 (cid:16)(cid:3)9ROWV ’6(cid:3) Figure 11. Transient Thermal Resistance (cid:20)(cid:17)(cid:19)(cid:19) ’ (cid:19)(cid:17)(cid:24) ’ (cid:19)(cid:17)(cid:21) ’ (cid:19)(cid:17)(cid:20) (cid:18): (cid:19)(cid:17)(cid:20)(cid:19) ’ (cid:19)(cid:17)(cid:19)(cid:24) (cid:3)(cid:16)(cid:3). ’ (cid:19)(cid:17)(cid:19)(cid:21) (cid:12)-& ’ (cid:19)(cid:17)(cid:19)(cid:20) (cid:11)WK 5 (cid:19)(cid:17)(cid:19)(cid:20) 6LQJOH(cid:3)3XOVH (cid:19)(cid:17)(cid:19)(cid:19) (cid:20)(cid:19)(cid:16)(cid:24) (cid:20)(cid:19)(cid:16)(cid:23) (cid:20)(cid:19)(cid:16)(cid:22) (cid:20)(cid:19)(cid:16)(cid:21) (cid:20)(cid:19)(cid:16)(cid:20) (cid:20)(cid:19)(cid:19) (cid:20)(cid:19)(cid:20) 3XOVH(cid:3):LGWK(cid:3)(cid:16)(cid:3)6HFRQGV IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions. IXYS MOSFETS and IGBTs are covered by one or more of the following U.S. patents: 4,835,592 4,881,106 5,017,508 5,049,961 5,187,117 5,486,715 4,850,072 4,931,844 5,034,796 5,063,307 5,237,481 5,381,025

Mouser Electronics Authorized Distributor Click to View Pricing, Inventory, Delivery & Lifecycle Information: I XYS: IXFH9N80 IXFH8N80