Datasheet下载- 型号： IXFH6N100F
- 制造商： IXYS
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IXFH6N100F由IXYS设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IXFH6N100F价格参考。IXYSIXFH6N100F封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IXFH6N100F参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IXFH6N100F 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| ChannelMode | Enhancement |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 6 A |
| Id-连续漏极电流 | 6 A |
| 品牌 | IXYS |
| 产品目录 | 半导体 |
| 描述 | MOSFET HiPerRF Power Mosfet 1000V 6A |
| 产品分类 | 分离式半导体 |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,IXYS IXFH6N100F |
| 产品型号 | IXFH6N100F |
| Pd-PowerDissipation | 180 W |
| Pd-功率耗散 | 180 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 1.9 Ohms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 1.9 Ohms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 1 kV |
| Vds-漏源极击穿电压 | 1 kV |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 8.6 ns |
| 下降时间 | 8.3 ns |
| 产品种类 | MOSFET |
| 典型关闭延迟时间 | 31 ns |
| 单位重量 | 6.500 g |
| 商标 | IXYS |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/箱体 | TO-247-3 |
| 工厂包装数量 | 30 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 系列 | IXFH6N100 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
推荐商品
热门文章
- 创新在线价格指数发布
- ICGOO商城11月热搜型号盘点
- ICGOO商城10月热搜型号盘点
- 【活动已结束】这个双十一，ICGOO与你在“1”起
- ICGOO商城9月热搜型号盘点
- 【行业热点】智能家居会成为我们的刚需吗？
- ICGOO商城8月热搜型号盘点
- 【福利】ICGOO迎新季，新客注册下单享好礼，更有倍捷连接器多重惊喜哟~
IXFH6N100F 相关产品
猜你喜欢
最新产品推荐
其他制造商