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Datasheet下载- 型号： IXFH26N50P3
- 制造商： IXYS
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IXFH26N50P3由IXYS设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IXFH26N50P3价格参考。IXYSIXFH26N50P3封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 通孔 N 沟道 500V 26A（Tc） 500W（Tc） TO-247AD（IXFH）。您可以下载IXFH26N50P3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IXFH26N50P3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IXFH26N50P3 是由 IXYS 公司生产的单个 MOSFET（金属氧化物场效应晶体管）器件。该型号的 FET 属于 N 沟道增强型功率 MOSFET，具有高电压和低导通电阻特性，适用于多种电力电子应用。 主要参数 - 耐压：500V - 连续漏极电流 (ID)：26A - 导通电阻 (Rds(on))：180mΩ（典型值） - 封装类型：TO-247 应用场景 1. 电源管理 IXFH26N50P3 常用于开关电源（SMPS）中，作为主开关管或同步整流器。其高耐压和低导通电阻特性使其能够在高压环境下高效工作，减少能量损耗。例如，在工业级开关电源、服务器电源等场合，该器件可以显著提高系统的效率和可靠性。 2. 电机驱动 在电机驱动领域，尤其是无刷直流电机（BLDC）和步进电机的控制中，IXFH26N50P3 可以用于逆变器电路中的功率开关。它能够承受电机启动时的瞬态电流，并提供稳定的电流输出，确保电机平稳运行。此外，其快速开关特性有助于降低电磁干扰（EMI），提高系统的抗噪能力。 3. 太阳能逆变器 太阳能光伏系统中的逆变器需要高效的功率转换器件。IXFH26N50P3 的高耐压和低损耗特性使其成为理想的选择。它可以用于DC-AC逆变器中的功率开关，将太阳能电池板产生的直流电转换为交流电，供给电网或负载使用。 4. 不间断电源（UPS） 在 UPS 系统中，IXFH26N50P3 可以用于电池充电电路和逆变电路。它能够在市电中断时迅速切换到电池供电模式，并且在恢复市电后高效地给电池充电。其高可靠性和低发热特性有助于延长 UPS 的使用寿命。 5. 电动工具 对于电动工具如电钻、角磨机等，IXFH26N50P3 可以用于电机控制器中的功率开关。它能够承受工具工作时的高电流冲击，并提供稳定的电机控制，确保工具的安全性和工作效率。 总之，IXFH26N50P3 凭借其优异的电气性能和可靠性，广泛应用于各种高功率、高电压的电力电子设备中，是高性能电力转换和控制的理想选择。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 500V 26A TO-247MOSFET Polar3 HiPerFET Power MOSFET |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 26 A |
| Id-连续漏极电流 | 26 A |
| 品牌 | IXYS |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,IXYS IXFH26N50P3Polar3™ HiPerFET™ |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IXFH26N50P3 |
| Pd-PowerDissipation | 500 W |
| Pd-功率耗散 | 500 W |
| Qg-GateCharge | 42 nC |
| Qg-栅极电荷 | 42 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 240 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 240 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 500 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 500 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 30 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 30 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 5 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 5 V |
| 上升时间 | 7 ns |
| 下降时间 | 5 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 5V @ 4mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2220pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 42nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 230 毫欧 @ 132A， 10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-247AD （IXFH） |
| 典型关闭延迟时间 | 38 ns |
| 功率-最大值 | 500W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | IXYS |
| 商标名 | Polar3, HiPerFET |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-247-3 |
| 封装/箱体 | TO-247-3 |
| 工厂包装数量 | 30 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 30 |
| 正向跨导-最小值 | 14 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 500V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 26A （Tc） |
| 系列 | IXFH26N50 |
| 通道模式 | Enhancement |
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