参数 |
数值 |
产品目录 |
分立半导体产品半导体 |
描述 |
MOSFET N-CH 800V 62A PLUS264MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 800V/62A |
产品分类 |
FET - 单分离式半导体 |
FET功能 |
标准 |
FET类型 |
MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent |
62 A |
Id-连续漏极电流 |
62 A |
品牌 |
IXYS |
产品手册 |
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产品图片 |
|
rohs |
符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 |
晶体管,MOSFET,IXYS IXFB62N80Q3HiPerFET™ |
数据手册 |
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产品型号 |
IXFB62N80Q3 |
Pd-PowerDissipation |
1560 W |
Pd-功率耗散 |
1.56 kW |
Qg-GateCharge |
270 nC |
Qg-栅极电荷 |
270 nC |
RdsOn-Drain-SourceResistance |
140 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 |
140 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage |
800 V |
Vds-漏源极击穿电压 |
800 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage |
30 V |
Vgs-栅源极击穿电压 |
30 V |
上升时间 |
300 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) |
6.5V @ 8mA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) |
13600pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) |
270nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) |
140 毫欧 @ 31A,10V |
产品种类 |
MOSFET |
供应商器件封装 |
PLUS264™ |
功率-最大值 |
1560W |
包装 |
管件 |
商标 |
IXYS |
商标名 |
HiPerFET |
安装类型 |
通孔 |
安装风格 |
Through Hole |
封装 |
Tube |
封装/外壳 |
TO-264-3,TO-264AA |
封装/箱体 |
PLUS 264-3 |
工厂包装数量 |
25 |
晶体管极性 |
N-Channel |
标准包装 |
25 |
漏源极电压(Vdss) |
800V |
特色产品 |
http://www.digikey.com/product-highlights/cn/zh/ixys-q3-class-hiperfet-power-mosfet/1012 |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) |
62A (Tc) |
系列 |
IXFB62N80 |
配置 |
Single |