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Datasheet下载- 型号： IXFB52N90P
- 制造商： IXYS
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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IXFB52N90P产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IXFB52N90P由IXYS设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IXFB52N90P价格参考。IXYSIXFB52N90P封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， N-Channel 900V 52A (Tc) 1250W (Tc) Through Hole PLUS264™。您可以下载IXFB52N90P参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IXFB52N90P 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH TO-264MOSFET PolarHV HiPerFETs 500V-1.2Kv Red Rds |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 52 A |
| Id-连续漏极电流 | 52 A |
| 品牌 | IXYS |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,IXYS IXFB52N90PPolar™ HiPerFET™ |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IXFB52N90P |
| Pd-PowerDissipation | 1250 W |
| Pd-功率耗散 | 1.25 kW |
| Qg-GateCharge | 308 nC |
| Qg-栅极电荷 | 308 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 160 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 160 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 900 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 900 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 30 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 30 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 3.5 V to 6.5 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 3.5 V to 6.5 V |
| 上升时间 | 80 ns |
| 下降时间 | 42 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 6.5V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 19000pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 308nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 160 毫欧 @ 26A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | PLUS264™ |
| 典型关闭延迟时间 | 95 ns |
| 功率-最大值 | 1250W |
| 包装 | 管件 |
| 单位重量 | 10.600 g |
| 商标 | IXYS |
| 商标名 | HiPerFET |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-264-3，TO-264AA |
| 封装/箱体 | PLUS 264-3 |
| 工厂包装数量 | 25 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 25 |
| 正向跨导-最小值 | 35 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 900V |
| 特色产品 | http://www.digikey.com/cn/zh/ph/ixys/polar_hiperfet_mosfets.html |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 52A （Tc） |
| 系列 | IXFB52N90 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
