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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IXFB44N100Q3由IXYS设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IXFB44N100Q3价格参考。IXYSIXFB44N100Q3封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IXFB44N100Q3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IXFB44N100Q3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IXYS的IXFB44N100Q3是一款高压MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),属于单通道FET,具有以下关键参数:耐压高达1000V,连续漏极电流为4.4A(25°C时),并且优化了开关性能和导通电阻。基于其特性,该型号适用于多种高电压、中低电流的应用场景,包括但不限于以下领域: 1. 电源管理 - 开关电源 (SMPS):用于高电压输入的开关电源设计,例如工业级或医疗设备中的AC-DC转换器。 - 逆变器:在光伏逆变器或其他类型的电力逆变器中作为开关元件,实现高效的直流到交流转换。 2. 电机驱动 - 高压电机控制:用于驱动高压环境下的小型电机,如工业自动化设备中的伺服电机或步进电机。 - 电动车充电系统:在电动车充电桩或车载充电器中,作为功率开关以处理高电压输入。 3. 脉冲功率应用 - 激光器驱动:为需要高电压脉冲的激光器提供快速开关功能。 - X射线设备:在医疗成像设备中,用于生成高压脉冲以激发X射线管。 4. 负载切换 - 高压负载切换:在工业控制系统中,用于切换高压负载,例如照明系统、加热元件等。 - 继电器替代:在某些应用场景中,可以用作固态继电器,提供更快的开关速度和更高的可靠性。 5. 新能源领域 - 风力发电:在小型风力发电机的能量转换系统中,用于高电压条件下的功率调节。 - 储能系统:在电池管理系统(BMS)中,用于高压电池组的充放电控制。 6. 其他特殊应用 - 高压测试设备:用于电子测试仪器中,生成和调节高电压信号。 - 航空航天与军事:由于其高可靠性和耐高压能力,可能被用于航空航天或军事领域的高电压电路中。 总之,IXFB44N100Q3凭借其高电压承受能力和良好的开关特性,适合于各种需要高效功率转换和控制的高压应用场景。选择具体应用时,需根据实际需求考虑散热设计、驱动电路匹配等因素,以确保器件的稳定运行。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
描述 | MOSFET N-CH 1000V 44A PLUS264MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 1000V/44A |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 44 A |
Id-连续漏极电流 | 44 A |
品牌 | IXYS |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,IXYS IXFB44N100Q3HiPerFET™ |
数据手册 | |
产品型号 | IXFB44N100Q3 |
Pd-PowerDissipation | 1560 W |
Pd-功率耗散 | 1.56 kW |
Qg-GateCharge | 264 nC |
Qg-栅极电荷 | 264 nC |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 220 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 220 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 1 kV |
Vds-漏源极击穿电压 | 1 kV |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 30 V |
上升时间 | 300 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 6.5V @ 8mA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 13600pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 264nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 220 毫欧 @ 22A,10V |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | PLUS264™ |
功率-最大值 | 1560W |
包装 | 管件 |
商标 | IXYS |
商标名 | HiPerFET |
安装类型 | 通孔 |
安装风格 | Through Hole |
封装 | Tube |
封装/外壳 | TO-264-3,TO-264AA |
封装/箱体 | PLUS 264-3 |
工厂包装数量 | 25 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
标准包装 | 25 |
漏源极电压(Vdss) | 1000V(1kV) |
特色产品 | http://www.digikey.com/product-highlights/cn/zh/ixys-q3-class-hiperfet-power-mosfet/1012 |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 44A (Tc) |
系列 | IXFB44N100 |
配置 | Single |