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  • 型号: IXFB44N100Q3
  • 制造商: IXYS
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供IXFB44N100Q3由IXYS设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IXFB44N100Q3价格参考。IXYSIXFB44N100Q3封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IXFB44N100Q3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IXFB44N100Q3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

IXYS的IXFB44N100Q3是一款高压MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),属于单通道FET,具有以下关键参数:耐压高达1000V,连续漏极电流为4.4A(25°C时),并且优化了开关性能和导通电阻。基于其特性,该型号适用于多种高电压、中低电流的应用场景,包括但不限于以下领域:

 1. 电源管理
   - 开关电源 (SMPS):用于高电压输入的开关电源设计,例如工业级或医疗设备中的AC-DC转换器。
   - 逆变器:在光伏逆变器或其他类型的电力逆变器中作为开关元件,实现高效的直流到交流转换。

 2. 电机驱动
   - 高压电机控制:用于驱动高压环境下的小型电机,如工业自动化设备中的伺服电机或步进电机。
   - 电动车充电系统:在电动车充电桩或车载充电器中,作为功率开关以处理高电压输入。

 3. 脉冲功率应用
   - 激光器驱动:为需要高电压脉冲的激光器提供快速开关功能。
   - X射线设备:在医疗成像设备中,用于生成高压脉冲以激发X射线管。

 4. 负载切换
   - 高压负载切换:在工业控制系统中,用于切换高压负载,例如照明系统、加热元件等。
   - 继电器替代:在某些应用场景中,可以用作固态继电器,提供更快的开关速度和更高的可靠性。

 5. 新能源领域
   - 风力发电:在小型风力发电机的能量转换系统中,用于高电压条件下的功率调节。
   - 储能系统:在电池管理系统(BMS)中,用于高压电池组的充放电控制。

 6. 其他特殊应用
   - 高压测试设备:用于电子测试仪器中,生成和调节高电压信号。
   - 航空航天与军事:由于其高可靠性和耐高压能力,可能被用于航空航天或军事领域的高电压电路中。

总之,IXFB44N100Q3凭借其高电压承受能力和良好的开关特性,适合于各种需要高效功率转换和控制的高压应用场景。选择具体应用时,需根据实际需求考虑散热设计、驱动电路匹配等因素,以确保器件的稳定运行。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

描述

MOSFET N-CH 1000V 44A PLUS264MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 1000V/44A

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

44 A

Id-连续漏极电流

44 A

品牌

IXYS

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,IXYS IXFB44N100Q3HiPerFET™

数据手册

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产品型号

IXFB44N100Q3

Pd-PowerDissipation

1560 W

Pd-功率耗散

1.56 kW

Qg-GateCharge

264 nC

Qg-栅极电荷

264 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

220 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

220 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

1 kV

Vds-漏源极击穿电压

1 kV

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

30 V

Vgs-栅源极击穿电压

30 V

上升时间

300 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

6.5V @ 8mA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

13600pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

264nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

220 毫欧 @ 22A,10V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

PLUS264™

功率-最大值

1560W

包装

管件

商标

IXYS

商标名

HiPerFET

安装类型

通孔

安装风格

Through Hole

封装

Tube

封装/外壳

TO-264-3,TO-264AA

封装/箱体

PLUS 264-3

工厂包装数量

25

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

标准包装

25

漏源极电压(Vdss)

1000V(1kV)

特色产品

http://www.digikey.com/product-highlights/cn/zh/ixys-q3-class-hiperfet-power-mosfet/1012

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

44A (Tc)

系列

IXFB44N100

配置

Single

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