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  • 型号: IXFB210N30P3
  • 制造商: IXYS
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供IXFB210N30P3由IXYS设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IXFB210N30P3价格参考。IXYSIXFB210N30P3封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IXFB210N30P3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IXFB210N30P3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET N-CH 300V 210A TO-263AAMOSFET N-Channel: Power MOSFET w/Fast Diode

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

210 A

Id-连续漏极电流

210 A

品牌

IXYS

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,IXYS IXFB210N30P3Polar3™ HiPerFET™

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产品型号

IXFB210N30P3

Pd-PowerDissipation

1.89 kW

Pd-功率耗散

1.89 kW

Qg-GateCharge

268 nC

Qg-栅极电荷

268 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

14.5 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

14.5 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

300 V

Vds-漏源极击穿电压

300 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage

5 V

Vgsth-栅源极阈值电压

5 V

上升时间

25 ns

下降时间

13 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

5V @ 8mA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

16200pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

268nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

14.5 毫欧 @ 105A, 10V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

ISOPLUS264™

典型关闭延迟时间

94 ns

功率-最大值

1890W

包装

管件

商标

IXYS

商标名

Polar3, HiPerFET

安装类型

表面贴装

安装风格

Through Hole

封装

Tube

封装/外壳

ISOPLUS264™

封装/箱体

PLUS 264-3

工厂包装数量

25

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

25

正向跨导-最小值

60 S

漏源极电压(Vdss)

300V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

210A (Tc)

系列

IXFB210N30

通道模式

Enhancement

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