参数 |
数值 |
产品目录 |
分立半导体产品半导体 |
ChannelMode |
Enhancement |
描述 |
MOSFET N-CH 1000V 4A TO-263MOSFET 4 Amps 1000V 2.8 Rds |
产品分类 |
FET - 单分离式半导体 |
FET功能 |
标准 |
FET类型 |
MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent |
4 A |
Id-连续漏极电流 |
4 A |
品牌 |
IXYS |
产品手册 |
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产品图片 |
|
rohs |
符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 |
晶体管,MOSFET,IXYS IXFA4N100QHiPerFET™ |
数据手册 |
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产品型号 |
IXFA4N100Q |
Pd-PowerDissipation |
150 W |
Pd-功率耗散 |
150 W |
RdsOn-Drain-SourceResistance |
3 Ohms |
RdsOn-漏源导通电阻 |
3 Ohms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage |
1 kV |
Vds-漏源极击穿电压 |
1 kV |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage |
+/- 20 V |
Vgs-栅源极击穿电压 |
20 V |
上升时间 |
15 ns |
下降时间 |
18 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) |
5V @ 1.5mA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) |
1050pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) |
39nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) |
3 欧姆 @ 2A,10V |
产品种类 |
MOSFET |
供应商器件封装 |
TO-263 (IXFA) |
典型关闭延迟时间 |
32 ns |
功率-最大值 |
150W |
包装 |
管件 |
单位重量 |
1.600 g |
商标 |
IXYS |
安装类型 |
表面贴装 |
安装风格 |
SMD/SMT |
封装 |
Tube |
封装/外壳 |
TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB |
封装/箱体 |
D2PAK-2 |
工厂包装数量 |
50 |
晶体管极性 |
N-Channel |
最大工作温度 |
+ 150 C |
最小工作温度 |
- 55 C |
标准包装 |
50 |
漏源极电压(Vdss) |
1000V(1kV) |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) |
4A (Tc) |
系列 |
IXFA4N100 |
通道模式 |
Enhancement |
配置 |
Single |