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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IXFA4N100Q-TRL由IXYS设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IXFA4N100Q-TRL价格参考。IXYSIXFA4N100Q-TRL封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IXFA4N100Q-TRL参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IXFA4N100Q-TRL 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | MOSFET N-CH 1000V 4A TO-263 |
产品分类 | FET - 单 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
品牌 | IXYS |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | IXFA4N100Q-TRL |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | HiPerFET™ |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4.5V @ 1.5mA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1050pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 39nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 3 欧姆 @ 2A,10V |
供应商器件封装 | TO-263 (IXFA) |
其它名称 | IXFA4N100Q-TRLDKR |
功率-最大值 | 150W |
包装 | Digi-Reel® |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB |
标准包装 | 1 |
漏源极电压(Vdss) | 1000V(1kV) |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 4A (Tc) |