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  • 型号: IXFA110N15T2
  • 制造商: IXYS
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供IXFA110N15T2由IXYS设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IXFA110N15T2价格参考。IXYSIXFA110N15T2封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IXFA110N15T2参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IXFA110N15T2 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET N-CH 150V 110A D2PAKMOSFET 110Amps 150V

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

110 A

Id-连续漏极电流

110 A

品牌

IXYS

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,IXYS IXFA110N15T2TrenchT2™

数据手册

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产品型号

IXFA110N15T2

Pd-PowerDissipation

480 W

Pd-功率耗散

480 W

Qg-GateCharge

150 nC

Qg-栅极电荷

150 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

11 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

11 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

150 V

Vds-漏源极击穿电压

150 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage

2.5 V

Vgsth-栅源极阈值电压

2.5 V

上升时间

16 ns

下降时间

18 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

4.5V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

8600pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

150nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

13 毫欧 @ 500mA,10V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

TO-263 (IXFA)

典型关闭延迟时间

33 ns

功率-最大值

480W

包装

带卷 (TR)

商标

IXYS

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Tube

封装/外壳

TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB

封装/箱体

D2PAK-2

工厂包装数量

50

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 175 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

800

正向跨导-最小值

75 S

漏源极电压(Vdss)

150V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

110A (Tc)

系列

IXFA110N15

通道模式

Enhancement

配置

Single Dual Drain

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