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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IXDP20N60B由IXYS设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IXDP20N60B价格参考。IXYSIXDP20N60B封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IXDP20N60B参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IXDP20N60B 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
参数 | 数值 |
25°C时Td(开/关)值 | - |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
Current-CollectorPulsed(Icm) | 40A |
描述 | IGBT 600V 32A 140W TO220ABIGBT 晶体管 20 Amps 600V |
产品分类 | IGBT - 单路分离式半导体 |
GateCharge | 70nC |
IGBT类型 | NPT |
品牌 | IXYS |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,IGBT 晶体管,IXYS IXDP20N60B- |
数据手册 | |
产品型号 | IXDP20N60B |
SwitchingEnergy | 900µJ (开), 400µJ (关) |
TestCondition | 300V, 20A, 22 欧姆, 15V |
不同 Vge、Ic时的 Vce(on) | 2.8V @ 15V,20A |
产品种类 | IGBT 晶体管 |
供应商器件封装 | TO-220AB |
功率-最大值 | 140W |
功率耗散 | 140 W |
包装 | 管件 |
单位重量 | 2.300 g |
反向恢复时间(trr) | - |
商标 | IXYS |
在25C的连续集电极电流 | 32 A |
安装类型 | 通孔 |
安装风格 | Through Hole |
封装 | Tube |
封装/外壳 | TO-220-3 |
封装/箱体 | TO-220-3 |
工厂包装数量 | 50 |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
栅极/发射极最大电压 | +/- 20 V |
栅极—射极漏泄电流 | 500 nA |
标准包装 | 50 |
电压-集射极击穿(最大值) | 600V |
电流-集电极(Ic)(最大值) | 32A |
系列 | IXDP20N60B |
输入类型 | 标准 |
配置 | Single |
集电极—发射极最大电压VCEO | 600 V |
集电极—射极饱和电压 | 2.2 V |
集电极最大连续电流Ic | 40 A |