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  • 型号: IXDP20N60B
  • 制造商: IXYS
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
数量阶梯 香港交货 国内含税
+xxxx $xxxx ¥xxxx

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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供IXDP20N60B由IXYS设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IXDP20N60B价格参考。IXYSIXDP20N60B封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IXDP20N60B参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IXDP20N60B 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
25°C时Td(开/关)值

-

产品目录

分立半导体产品半导体

Current-CollectorPulsed(Icm)

40A

描述

IGBT 600V 32A 140W TO220ABIGBT 晶体管 20 Amps 600V

产品分类

IGBT - 单路分离式半导体

GateCharge

70nC

IGBT类型

NPT

品牌

IXYS

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,IGBT 晶体管,IXYS IXDP20N60B-

数据手册

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产品型号

IXDP20N60B

SwitchingEnergy

900µJ (开), 400µJ (关)

TestCondition

300V, 20A, 22 欧姆, 15V

不同 Vge、Ic时的 Vce(on)

2.8V @ 15V,20A

产品种类

IGBT 晶体管

供应商器件封装

TO-220AB

功率-最大值

140W

功率耗散

140 W

包装

管件

单位重量

2.300 g

反向恢复时间(trr)

-

商标

IXYS

在25C的连续集电极电流

32 A

安装类型

通孔

安装风格

Through Hole

封装

Tube

封装/外壳

TO-220-3

封装/箱体

TO-220-3

工厂包装数量

50

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

栅极/发射极最大电压

+/- 20 V

栅极—射极漏泄电流

500 nA

标准包装

50

电压-集射极击穿(最大值)

600V

电流-集电极(Ic)(最大值)

32A

系列

IXDP20N60B

输入类型

标准

配置

Single

集电极—发射极最大电压VCEO

600 V

集电极—射极饱和电压

2.2 V

集电极最大连续电流Ic

40 A

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