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  • 型号: IXBT42N170
  • 制造商: IXYS
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供IXBT42N170由IXYS设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IXBT42N170价格参考。IXYSIXBT42N170封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IXBT42N170参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IXBT42N170 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
25°C时Td(开/关)值

-

产品目录

分立半导体产品半导体

Current-CollectorPulsed(Icm)

300A

描述

IGBT 1700V 80A 360W TO268IGBT 晶体管 BIMOSFET 1700V 75A

产品分类

IGBT - 单路分离式半导体

GateCharge

188nC

IGBT类型

-

品牌

IXYS

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,IGBT 晶体管,IXYS IXBT42N170BIMOSFET™

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产品型号

IXBT42N170

SwitchingEnergy

-

TestCondition

-

不同 Vge、Ic时的 Vce(on)

2.8V @ 15V,42A

产品种类

IGBT 晶体管

供应商器件封装

TO-268

功率-最大值

360W

包装

管件

单位重量

4.500 g

反向恢复时间(trr)

1.32µs

商标

IXYS

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Tube

封装/外壳

TO-268-3,D³Pak(2 引线+接片),TO-268AA

封装/箱体

TO-268-3

工厂包装数量

30

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

栅极/发射极最大电压

20 V

标准包装

30

电压-集射极击穿(最大值)

1700V

电流-集电极(Ic)(最大值)

80A

系列

IXBT42N170

输入类型

标准

配置

Single

集电极—发射极最大电压VCEO

1700 V

集电极—射极饱和电压

2.3 V

集电极最大连续电流Ic

75 A

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