Datasheet下载- 型号： IXBN75N170A
- 制造商： IXYS
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IXBN75N170A由IXYS设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IXBN75N170A价格参考。IXYSIXBN75N170A封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IXBN75N170A参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IXBN75N170A 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | IC TRANS BIPO 1700V SOT-227IGBT 晶体管 75 Amps 1700V 6.00 Rds |
| 产品分类 | IGBT - 模块分离式半导体 |
| IGBT类型 | - |
| 品牌 | IXYS |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,IGBT 晶体管,IXYS IXBN75N170ABIMOSFET™ |
| NTC热敏电阻 | 无 |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IXBN75N170A |
| 不同 Vce时的输入电容(Cies) | 7.4nF @ 25V |
| 不同 Vge、Ic时的 Vce(on) | 6V @ 15V，42A |
| 产品种类 | IGBT 晶体管 |
| 供应商器件封装 | SOT-227B |
| 功率-最大值 | 625W |
| 功率耗散 | 625 W |
| 单位重量 | 38 g |
| 商标 | IXYS |
| 商标名 | BiMOSFET |
| 在25C的连续集电极电流 | 75 A |
| 安装类型 | 底座安装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | SOT-227-4，miniBLOC |
| 封装/箱体 | SOT-227B-4 |
| 工厂包装数量 | 10 |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 栅极/发射极最大电压 | +/- 20 V |
| 栅极—射极漏泄电流 | 100 nA |
| 标准包装 | 10 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 1700V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 75A |
| 电流-集电极截止（最大值） | 50µA |
| 系列 | IXBN75N170 |
| 输入 | 标准 |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 1.7 kV |
| 集电极—射极饱和电压 | 4.95 V |
| 集电极最大连续电流Ic | 350 A |
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