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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IXBH5N160G由IXYS设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IXBH5N160G价格参考。IXYSIXBH5N160G封装/规格:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单, IGBT 1600V 5.7A 68W Through Hole TO-247AD (IXBH)。您可以下载IXBH5N160G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IXBH5N160G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IXBH5N160G 是由 IXYS 公司生产的一款 UGBT(绝缘栅双极晶体管)和 MOSFET(金属氧化物场效应晶体管)单通道产品。这款器件具有高耐压、低导通电阻以及快速开关特性,适用于多种电力电子应用场景。 应用场景: 1. 电机驱动: - IXBH5N160G 适用于各种电机驱动应用,如伺服电机、步进电机和无刷直流电机(BLDC)。其高耐压和快速开关特性有助于提高电机驱动系统的效率和响应速度。 2. 逆变器和变频器: - 在太阳能逆变器、UPS(不间断电源)和工业变频器中,IXBH5N160G 可以用于功率转换电路。它能够承受高电压和大电流,确保系统在恶劣环境下稳定运行。 3. 开关电源(SMPS): - 该器件广泛应用于开关电源中,特别是在高频开关电源设计中表现出色。IXBH5N160G 的低导通电阻和快速开关特性可以减少能量损耗,提高电源转换效率。 4. 电动汽车(EV)和混合动力汽车(HEV): - 在电动汽车和混合动力汽车的牵引逆变器、车载充电器和 DC-DC 转换器中,IXBH5N160G 可以提供高效且可靠的功率控制,满足车辆对高性能和可靠性的要求。 5. 工业自动化: - 在工业自动化设备中,如机器人、数控机床和自动化生产线,IXBH5N160G 可用于驱动执行器、传感器和其他负载,确保系统的精确控制和高效运行。 6. 家电和消费电子: - 在高端家电和消费电子产品中,IXBH5N160G 可用于电源管理、风扇控制和加热元件驱动等场合,提升产品的性能和用户体验。 总之,IXBH5N160G 凭借其优异的电气特性和可靠性,成为众多电力电子应用的理想选择,尤其适用于需要高效、快速响应和高耐压的场合。
参数 | 数值 |
25°C时Td(开/关)值 | - |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
Current-CollectorPulsed(Icm) | - |
描述 | IGBT 1600V 5.7A 68W TO247ADIGBT 晶体管 5 Amps 1600V |
产品分类 | IGBT - 单路分离式半导体 |
GateCharge | 26nC |
IGBT类型 | - |
品牌 | IXYS |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,IGBT 晶体管,IXYS IXBH5N160GBIMOSFET™ |
数据手册 | |
产品型号 | IXBH5N160G |
SwitchingEnergy | - |
TestCondition | 960V, 3A, 47 欧姆, 10V |
不同 Vge、Ic时的 Vce(on) | 7.2V @ 15V,3A |
产品种类 | IGBT 晶体管 |
供应商器件封装 | TO-247AD (IXBH) |
功率-最大值 | 68W |
功率耗散 | 68 W |
包装 | 管件 |
单位重量 | 6.500 g |
反向恢复时间(trr) | - |
商标 | IXYS |
商标名 | BIMOSFET |
在25C的连续集电极电流 | 5.7 A |
安装类型 | 通孔 |
安装风格 | Through Hole |
封装 | Tube |
封装/外壳 | TO-247-3 |
封装/箱体 | TO-247-3 |
工厂包装数量 | 30 |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
栅极/发射极最大电压 | +/- 20 V |
栅极—射极漏泄电流 | 100 nA |
标准包装 | 30 |
电压-集射极击穿(最大值) | 1600V |
电流-集电极(Ic)(最大值) | 5.7A |
系列 | IXBH5N160 |
输入类型 | 标准 |
配置 | Single |
集电极—发射极最大电压VCEO | 1.6 kV |
集电极—射极饱和电压 | 4.9 V |
集电极最大连续电流Ic | 6 A |