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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IXBH42N170A由IXYS设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IXBH42N170A价格参考。IXYSIXBH42N170A封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IXBH42N170A参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IXBH42N170A 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
参数 | 数值 |
25°C时Td(开/关)值 | 19ns/200ns |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
Current-CollectorPulsed(Icm) | 265A |
描述 | IGBT 1700V 42A 357W TO247IGBT 晶体管 BIMOSET 42A 1700V |
产品分类 | IGBT - 单路分离式半导体 |
GateCharge | 188nC |
IGBT类型 | - |
品牌 | IXYS |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,IGBT 晶体管,IXYS IXBH42N170ABIMOSFET™ |
数据手册 | |
产品型号 | IXBH42N170A |
SwitchingEnergy | 3.43mJ (开), 430µJ (关) |
TestCondition | 850V, 21A, 1 欧姆, 15V |
不同 Vge、Ic时的 Vce(on) | 6V @ 15V,21A |
产品种类 | IGBT 晶体管 |
供应商器件封装 | TO-247AD (IXBH) |
功率-最大值 | 357W |
包装 | 管件 |
单位重量 | 6.500 g |
反向恢复时间(trr) | 330ns |
商标 | IXYS |
安装类型 | 通孔 |
安装风格 | Through Hole |
封装 | Tube |
封装/外壳 | TO-247-3 |
封装/箱体 | TO-247-3 |
工厂包装数量 | 30 |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
栅极/发射极最大电压 | 20 V |
标准包装 | 30 |
电压-集射极击穿(最大值) | 1700V |
电流-集电极(Ic)(最大值) | 42A |
系列 | IXBH42N170 |
输入类型 | 标准 |
配置 | Single |
集电极—发射极最大电压VCEO | 1700 V |
集电极—射极饱和电压 | 5.2 V |
集电极最大连续电流Ic | 42 A |