Datasheet下载- 型号： IXBH24N170
- 制造商： IXYS
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IXBH24N170由IXYS设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IXBH24N170价格参考。IXYSIXBH24N170封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IXBH24N170参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IXBH24N170 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
| 参数 | 数值 |
| 25°C时Td（开/关）值 | - |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| Current-CollectorPulsed(Icm) | 230A |
| 描述 | IGBT 1700V 60A 250W TO247IGBT 晶体管 BIMOSFETS 1700V 60A |
| 产品分类 | IGBT - 单路分离式半导体 |
| GateCharge | 140nC |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 60 A |
| Id-连续漏极电流 | 60 A |
| IGBT类型 | - |
| 品牌 | IXYS |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,IGBT 晶体管,IXYS IXBH24N170BIMOSFET™ |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IXBH24N170 |
| Pd-PowerDissipation | 250 W |
| Pd-功率耗散 | 250 W |
| Qg-GateCharge | 140 nC |
| Qg-栅极电荷 | 140 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 1400 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 1400 mOhms |
| SwitchingEnergy | - |
| TestCondition | - |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 500 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 1.7 kV |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 5 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 5 V |
| 上升时间 | 82 ns |
| 下降时间 | 750 ns |
| 不同 Vge、Ic时的 Vce(on) | 2.5V @ 15V，24A |
| 产品种类 | IGBT 晶体管 |
| 供应商器件封装 | TO-247AD （IXBH） |
| 典型关闭延迟时间 | 325 ns |
| 功率-最大值 | 250W |
| 包装 | 管件 |
| 反向恢复时间(trr) | 1.06µs |
| 商标 | IXYS |
| 商标名 | BIMOSFET |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-247-3 |
| 封装/箱体 | TO-247-3 |
| 工厂包装数量 | 30 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 30 |
| 正向跨导-最小值 | 15 S |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 1700V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 60A |
| 系列 | IXBH24N170 |
| 输入类型 | 标准 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
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