Datasheet下载- 型号： IS61WV51216EDBLL-10BLI
- 制造商： ISSI
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IS61WV51216EDBLL-10BLI由ISSI设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IS61WV51216EDBLL-10BLI价格参考。ISSIIS61WV51216EDBLL-10BLI封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IS61WV51216EDBLL-10BLI参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IS61WV51216EDBLL-10BLI 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 集成电路 (IC)半导体 |
| 描述 | IC SRAM 8MB 10NS 48BGA静态随机存取存储器 8M, 2.4-3.6V, 10ns 512Kx16 Asych 静态随机存取存储器 |
| 产品分类 | 存储器集成电路 - IC |
| 品牌 | ISSI |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 内存,静态随机存取存储器,ISSI IS61WV51216EDBLL-10BLI- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IS61WV51216EDBLL-10BLI |
| 产品种类 | 静态随机存取存储器 |
| 供应商器件封装 | 48-TFBGA（6x8） |
| 包装 | * |
| 商标 | ISSI |
| 存储器类型 | SRAM - 异步 |
| 存储容量 | 8 Mbit |
| 存储类型 | Asynchronous CMOS |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Tray |
| 封装/外壳 | 48-TFBGA |
| 封装/箱体 | BGA-48 |
| 工作温度 | -40°C ~ 85°C |
| 工厂包装数量 | 480 |
| 接口 | 并联 |
| 最大工作温度 | + 85 C |
| 最大工作电流 | 40 mA |
| 最小工作温度 | - 40 C |
| 标准包装 | 480 |
| 格式-存储器 | RAM |
| 电压-电源 | 2.4 V ~ 3.6 V |
| 电源电压-最大 | 3.6 V |
| 电源电压-最小 | 2.4 V |
| 类型 | Asynchronous Static RAM |
| 系列 | IS61WV51216EDBLL |
| 组织 | 516 k x 16 |
| 访问时间 | 10 ns |
| 速度 | 10ns |
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