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  • 型号: IS61WV51216BLL-10TLI
  • 制造商: ISSI
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  • 要求:
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供IS61WV51216BLL-10TLI由ISSI设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IS61WV51216BLL-10TLI价格参考。ISSIIS61WV51216BLL-10TLI封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IS61WV51216BLL-10TLI参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IS61WV51216BLL-10TLI 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

集成电路 (IC)半导体

描述

IC SRAM 8MBIT 10NS 44TSOP静态随机存取存储器 8M (512Kx16) 10ns Async 静态随机存取存储器 3.3v

产品分类

存储器集成电路 - IC

品牌

ISSI

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

内存,静态随机存取存储器,ISSI IS61WV51216BLL-10TLI-

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产品型号

IS61WV51216BLL-10TLI

产品种类

静态随机存取存储器

供应商器件封装

44-TSOP II

其它名称

706-1107
IS61WV51216BLL-10TLI-ND
IS61WV51216BLL10TLI

包装

托盘

商标

ISSI

存储器类型

SRAM - 异步

存储容量

8 Mbit

安装风格

SMD/SMT

封装

Tray

封装/外壳

44-TSOP(0.400",10.16mm 宽)

封装/箱体

TSOP-44

工作温度

-40°C ~ 85°C

工厂包装数量

135

接口

Parallel

最大工作温度

+ 85 C

最大工作电流

25 mA

最大时钟频率

100 MHz

最小工作温度

- 40 C

标准包装

135

格式-存储器

RAM

电压-电源

1.65 V ~ 3.6 V

电源电压-最大

3.6 V

电源电压-最小

2.4 V

类型

Asynchronous

系列

IS61WV51216BLL

组织

512 k x 16

访问时间

10 ns

速度

10ns

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