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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IRLZ44NSTRR由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRLZ44NSTRR价格参考。International RectifierIRLZ44NSTRR封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 55V 47A(Tc) 3.8W(Ta),110W(Tc) D2PAK。您可以下载IRLZ44NSTRR参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRLZ44NSTRR 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IRLZ44NSTRR 是一款 N 沟道增强型 MOSFET(金属氧化物场效应晶体管),属于 Infineon 公司的产品线。它具有低导通电阻、快速开关速度和低栅极电荷等优点,适用于多种电力电子应用。 1. 电机驱动 IRLZ44NSTRR 常用于小型直流电机或步进电机的驱动电路中。由于其低导通电阻(通常在几毫欧到几十毫欧之间),可以有效减少功率损耗,提高效率。此外,它的快速开关特性使得它适合用于 PWM(脉宽调制)控制,从而实现对电机转速和扭矩的精确控制。 2. 电源管理 该 MOSFET 可以应用于开关电源(SMPS)、DC-DC 转换器和电池管理系统(BMS)。在这些应用中,IRLZ44NSTRR 的低导通电阻有助于降低传导损耗,而其快速开关特性则减少了开关损耗,提高了整体转换效率。此外,它还可以用于负载开关,实现对不同负载的快速切换和保护。 3. 信号切换 IRLZ44NSTRR 可以用作模拟或数字信号的开关。例如,在音频设备中,它可以用于切换不同的输入源;在通信设备中,它可以用于切换射频信号路径。由于其低导通电阻和高电流承载能力,可以在不引入显著失真的情况下进行信号切换。 4. 电池保护 在锂电池或其他可充电电池组中,IRLZ44NSTRR 可以作为保护元件,防止过充、过放、短路等情况。通过与适当的控制电路配合,它可以迅速切断电流路径,保护电池和相关电路免受损坏。 5. LED 驱动 IRLZ44NSTRR 还可以用于 LED 照明系统中的恒流驱动电路。通过 PWM 或线性调节方式,它可以精确控制 LED 的亮度,同时保持较高的能效。其低导通电阻也有助于减少发热,延长 LED 的使用寿命。 总之,IRLZ44NSTRR 凭借其优异的电气性能,广泛应用于各种需要高效功率转换和信号切换的场景中。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | MOSFET N-CH 55V 47A D2PAK |
产品分类 | FET - 单 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
品牌 | International Rectifier |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | IRLZ44NSTRR |
rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | HEXFET® |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1700pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 48nC @ 5V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 22 毫欧 @ 25A,10V |
供应商器件封装 | D2PAK |
功率-最大值 | 3.8W |
包装 | 带卷 (TR) |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB |
标准包装 | 800 |
漏源极电压(Vdss) | 55V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 47A (Tc) |
设计资源 | http://www.irf.com/product-info/models/saber/irlz44ns.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/spice/irlz44ns.spi |