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详细数据请看参考数据手册

型号： IRLZ44NSPBF
制造商： International Rectifier
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供IRLZ44NSPBF由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRLZ44NSPBF价格参考。International RectifierIRLZ44NSPBF封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单，表面贴装 N 沟道 55V 47A（Tc） 3.8W（Ta），110W（Tc） D2PAK。您可以下载IRLZ44NSPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRLZ44NSPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Infineon Technologies的IRLZ44NSPBF是一款N沟道增强型MOSFET（金属氧化物场效应晶体管），具有低导通电阻和快速开关特性，适用于多种应用场景。以下是其主要应用领域：

1. 电源管理：
   - 该MOSFET广泛用于各种电源管理系统中，如DC-DC转换器、线性稳压器等。它能够高效地控制电流的开关，降低功耗，提高电源转换效率。
   
2. 电机驱动：
   - 在小型电机驱动电路中，IRLZ44NSPBF可以作为开关元件，用于控制电机的启动、停止和速度调节。它的低导通电阻有助于减少发热，提高系统的可靠性和稳定性。

3. 消费电子产品：
   - 该器件常用于手机充电器、笔记本电脑适配器、便携式电子设备等。它的小封装和低功耗特性使其非常适合这些对空间和能效有严格要求的应用。

4. 工业自动化：
   - 在工业控制系统中，IRLZ44NSPBF可用于信号隔离、负载切换和保护电路。它能够承受较高的电压和电流波动，确保系统的稳定运行。

5. 电池管理系统（BMS）：
   - IRLZ44NSPBF在电池管理系统中起到关键作用，用于电池充放电控制、过流保护和短路保护。其快速响应能力可以有效防止电池过热或损坏。

6. 汽车电子：
   - 在汽车电子系统中，该MOSFET可用于车身控制模块、车灯控制、电动座椅驱动等。其高可靠性和抗干扰性能满足汽车环境下的严苛要求。

7. 通信设备：
   - 该器件也适用于通信基站、路由器等设备中的电源管理和信号处理电路。它能够提供稳定的电流输出，保证通信设备的正常工作。

总之，IRLZ44NSPBF凭借其优异的电气性能和广泛的适用性，在众多领域中发挥着重要作用。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品半导体
描述	MOSFET N-CH 55V 47A D2PAKMOSFET 55V 1 N-CH HEXFET 22mOhms 32nC
产品分类	FET - 单分离式半导体
FET功能	逻辑电平门
FET类型	MOSFET N 通道，金属氧化物
Id-连续漏极电流	47 A
品牌	International Rectifier
产品手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
rohs	符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	晶体管,MOSFET,International Rectifier IRLZ44NSPBFHEXFET®
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品型号	IRLZ44NSPBF
Pd-PowerDissipation	110 W
Pd-功率耗散	110 W
Qg-GateCharge	32 nC
Qg-栅极电荷	32 nC
RdsOn-漏源导通电阻	35 mOhms
Vds-漏源极击穿电压	55 V
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage	16 V
Vgs-栅源极击穿电压	16 V
上升时间	84 ns
下降时间	15 ns
不同Id时的Vgs(th)（最大值）	2V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)	1700pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)	48nC @ 5V
不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值）	22 毫欧 @ 25A，10V
产品培训模块	http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250
产品种类	MOSFET
供应商器件封装	D2PAK
其它名称	*IRLZ44NSPBF
典型关闭延迟时间	26 ns
功率-最大值	3.8W
功率耗散	110 W
包装	管件
商标	International Rectifier
安装类型	表面贴装
安装风格	SMD/SMT
导通电阻	35 mOhms
封装	Tube
封装/外壳	TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
封装/箱体	D2PAK-2
工厂包装数量	50
晶体管极性	N-Channel
最大工作温度	+ 175 C
最小工作温度	- 55 C
栅极电荷Qg	32 nC
标准包装	50
汲极/源极击穿电压	55 V
漏极连续电流	47 A
漏源极电压(Vdss)	55V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）	47A （Tc）
设计资源	http://www.irf.com/product-info/models/saber/irlz44ns.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/spice/irlz44ns.spi
通道模式	Enhancement
配置	Single
闸/源击穿电压	16 V