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Datasheet下载- 型号： IRLZ44NSPBF
- 制造商： International Rectifier
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRLZ44NSPBF由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRLZ44NSPBF价格参考。International RectifierIRLZ44NSPBF封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 55V 47A（Tc） 3.8W（Ta），110W（Tc） D2PAK。您可以下载IRLZ44NSPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRLZ44NSPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IRLZ44NSPBF是一种N沟道增强型MOSFET（金属氧化物场效应晶体管），广泛应用于各种电力电子设备中。它具有低导通电阻、快速开关速度和高耐压等优点，适用于多种应用场景。 1. 电源管理：IRLZ44NSPBF常用于开关电源、直流-直流转换器（DC-DC）和线性稳压器中。其低导通电阻有助于减少功率损耗，提高效率，特别是在低电压大电流的应用场景下表现尤为突出。例如，在笔记本电脑适配器、手机充电器和LED驱动电路中，它可以作为高效的开关元件。 2. 电机控制：在小型电机驱动和控制系统中，IRLZ44NSPBF可用于实现PWM（脉宽调制）控制。通过调节占空比来控制电机的速度和扭矩，广泛应用于无人机、电动工具、家用电器等设备中。其快速开关特性能够有效降低电磁干扰（EMI），提高系统的稳定性和可靠性。 3. 负载切换：该器件还适用于负载切换应用，如继电器替代、电池管理系统（BMS）中的充放电控制等。其内置的体二极管可以在反向电流保护方面发挥作用，确保电路的安全运行。此外，由于其低导通电阻，可以减少发热，延长使用寿命。 4. 信号放大与缓冲：在一些模拟电路中，IRLZ44NSPBF可以用作信号放大或缓冲级，尤其是在需要处理较大电流的情况下。它能够提供较高的增益和较低的噪声水平，适用于音频放大器、传感器接口等场合。 5. 其他应用：除了上述领域外，IRLZ44NSPBF还可用于太阳能光伏系统中的最大功率点跟踪（MPPT）、电动汽车充电桩的逆变器模块以及智能家居设备中的无线充电电路等新兴技术领域。 总之，IRLZ44NSPBF凭借其优异的性能参数，在众多电力电子应用中展现出强大的适应性和灵活性。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 55V 47A D2PAKMOSFET 55V 1 N-CH HEXFET 22mOhms 32nC |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-连续漏极电流 | 47 A |
| 品牌 | International Rectifier |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRLZ44NSPBFHEXFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRLZ44NSPBF |
| Pd-PowerDissipation | 110 W |
| Pd-功率耗散 | 110 W |
| Qg-GateCharge | 32 nC |
| Qg-栅极电荷 | 32 nC |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 35 mOhms |
| Vds-漏源极击穿电压 | 55 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 16 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 16 V |
| 上升时间 | 84 ns |
| 下降时间 | 15 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1700pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 48nC @ 5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 22 毫欧 @ 25A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | D2PAK |
| 其它名称 | *IRLZ44NSPBF |
| 典型关闭延迟时间 | 26 ns |
| 功率-最大值 | 3.8W |
| 功率耗散 | 110 W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | International Rectifier |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 35 mOhms |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 封装/箱体 | D2PAK-2 |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 栅极电荷Qg | 32 nC |
| 标准包装 | 50 |
| 汲极/源极击穿电压 | 55 V |
| 漏极连续电流 | 47 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 55V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 47A （Tc） |
| 设计资源 | http://www.irf.com/product-info/models/saber/irlz44ns.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/spice/irlz44ns.spi |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 闸/源击穿电压 | 16 V |
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