ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单 > IRLZ44NPBF
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Datasheet下载- 型号： IRLZ44NPBF
- 制造商： International Rectifier
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRLZ44NPBF由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRLZ44NPBF价格参考￥2.40-￥2.45。International RectifierIRLZ44NPBF封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 通孔 N 沟道 55V 47A（Tc） 3.8W（Ta），110W（Tc） TO-220AB。您可以下载IRLZ44NPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRLZ44NPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies的IRLZ44NPBF是一款N沟道增强型MOSFET（金属氧化物场效应晶体管），广泛应用于各种电子设备中。其主要应用场景包括： 1. 电源管理：IRLZ44NPBF因其低导通电阻（Rds(on)）和低栅极电荷特性，适用于开关电源、DC-DC转换器等电源管理系统。它能够高效地控制电流的通断，减少能量损耗，提高电源转换效率。 2. 电机驱动：该MOSFET可用于小型电机驱动电路，如步进电机、直流电机等。其低导通电阻有助于降低发热，延长器件寿命，并且可以实现快速响应和精确控制。 3. 负载开关：在便携式电子设备（如手机、平板电脑、笔记本电脑）中，IRLZ44NPBF常用于负载开关应用。它可以在不同工作模式下快速切换电源路径，确保设备在待机或关机状态下消耗极低的电流。 4. 电池保护电路：IRLZ44NPBF可用于锂电池保护电路中，防止过充、过放和短路等情况发生。通过精确控制充电和放电路径，保障电池的安全性和可靠性。 5. 信号切换：在音频设备、通信设备等领域，IRLZ44NPBF可以用作信号切换元件，实现不同信号源之间的切换操作。其低导通电阻和高开关速度使得信号传输更加稳定可靠。 6. LED驱动：对于LED照明系统，IRLZ44NPBF可以作为驱动元件，调节LED的工作电流，确保亮度一致性和稳定性。同时，其低功耗特性有助于提升整个系统的能效。 总之，IRLZ44NPBF凭借其优异的电气性能，在众多领域都有广泛应用，特别是在需要高效、低损耗和快速响应的应用场景中表现尤为突出。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 55V 47A TO-220ABMOSFET MOSFT 55V 41A 22mOhm 32nC LogLvlAB |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 41 A |
| Id-连续漏极电流 | 41 A |
| 品牌 | International Rectifier |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRLZ44NPBFHEXFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRLZ44NPBF |
| Pd-PowerDissipation | 83 W |
| Pd-功率耗散 | 83 W |
| Qg-GateCharge | 32 nC |
| Qg-栅极电荷 | 32 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 35 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 35 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 55 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 55 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 16 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 16 V |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1700pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 48nC @ 5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 22 毫欧 @ 25A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250 |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-220AB |
| 其它名称 | *IRLZ44NPBF |
| 功率-最大值 | 110W |
| 功率耗散 | 83 W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | International Rectifier |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 导通电阻 | 35 mOhms |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 封装/箱体 | TO-220-3 |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 栅极电荷Qg | 32 nC |
| 标准包装 | 50 |
| 汲极/源极击穿电压 | 55 V |
| 漏极连续电流 | 41 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 55V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 47A （Tc） |
| 设计资源 | http://www.irf.com/product-info/models/SABER/irlz44n.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/SPICE/irlz44n.spi |
| 闸/源击穿电压 | 16 V |
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