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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IRLZ34NSTRLPBF由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRLZ34NSTRLPBF价格参考¥4.73-¥7.79。International RectifierIRLZ34NSTRLPBF封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IRLZ34NSTRLPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRLZ34NSTRLPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies的晶体管 - FET,MOSFET - 单型号IRLZ34NSTRLPBF(以下简称IRLZ34N)是一款N沟道逻辑电平增强型MOSFET,广泛应用于多种电子电路中。以下是其主要应用场景: 1. 开关电源(SMPS): IRLZ34N具有低导通电阻(Rds(on))和快速开关特性,适合用于开关电源中的功率开关或同步整流器。它能够高效地控制电流流动,降低功耗并提高转换效率。 2. 电机驱动: 该器件常用于小型直流电机或步进电机的驱动电路中。由于其低Rds(on),可以减少发热并提高电机运行效率。同时,其逻辑电平驱动能力使其易于与微控制器或其他逻辑电路配合使用。 3. 负载开关: 在便携式设备(如手机、平板电脑等)中,IRLZ34N可用作负载开关,实现对不同功能模块的供电管理。通过快速切换开/关状态,有效降低待机功耗。 4. 电池保护电路: 该MOSFET可用于锂电池保护板中,作为充放电路径的控制开关。当检测到过压、欠压或过流时,迅速切断电路以保护电池安全。 5. 音频功放电路: 在D类音频放大器中,IRLZ34N可作为输出级开关元件,提供高效率的声音信号放大。其低导通损耗有助于减少失真并提升音质表现。 6. LED驱动: 对于大电流LED照明应用,此MOSFET可以用作PWM调光电路中的开关器件,精确调节LED亮度而不影响发光效率。 7. 逆变器和UPS系统: 在小型逆变器或不间断电源(UPS)设计中,IRLZ34N参与AC-DC或DC-AC转换过程,确保稳定可靠的电力供应。 总之,IRLZ34NSTRLPBF凭借其优异的电气性能和紧凑封装形式,成为众多低电压、中小功率应用的理想选择。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
描述 | MOSFET N-CH 55V 30A D2PAKMOSFET MOSFT 55V 30A 35mOhm 16.7nC LogLvl |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-连续漏极电流 | 30 A |
品牌 | International Rectifier |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRLZ34NSTRLPBFHEXFET® |
数据手册 | |
产品型号 | IRLZ34NSTRLPBF |
Pd-PowerDissipation | 68 W |
Pd-功率耗散 | 68 W |
Qg-GateCharge | 16.7 nC |
Qg-栅极电荷 | 16.7 nC |
RdsOn-漏源导通电阻 | 60 mOhms |
Vds-漏源极击穿电压 | 55 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 16 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 16 V |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 880pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 25nC @ 5V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 35 毫欧 @ 16A,10V |
产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250 |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | D2PAK |
其它名称 | IRLZ34NSTRLPBFDKR |
功率-最大值 | 3.8W |
包装 | Digi-Reel® |
商标 | International Rectifier |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
导通电阻 | 60 mOhms |
封装 | Reel |
封装/外壳 | TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB |
封装/箱体 | D2PAK-2 |
工厂包装数量 | 800 |
晶体管极性 | N-Channel |
标准包装 | 1 |
汲极/源极击穿电压 | 55 V |
漏极连续电流 | 30 A |
漏源极电压(Vdss) | 55V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 30A (Tc) |
设计资源 | http://www.irf.com/product-info/models/SABER/irlz34ns.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/SPICE/irlz34ns.spi |