Datasheet下载- 型号： IRLZ34NSPBF
- 制造商： International Rectifier
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRLZ34NSPBF由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRLZ34NSPBF价格参考。International RectifierIRLZ34NSPBF封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IRLZ34NSPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRLZ34NSPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies（英飞凌科技）的IRLZ34NSPBF是一款N沟道逻辑电平增强型MOSFET，属于晶体管 - FET、MOSFET - 单一类别。该型号具有低导通电阻（Rds(on)）、高开关速度和出色的热性能，适用于多种应用场景。以下是其主要应用场景： 1. 电源管理 IRLZ34NSPBF常用于直流-直流转换器（DC-DC converters）和低压电源管理系统中，例如降压或升压电路。其低导通电阻特性有助于减少功率损耗，提高效率。 2. 电机驱动 该MOSFET适用于小型直流电机或步进电机的驱动电路，尤其在电池供电设备中表现优异。其逻辑电平栅极驱动设计使其可以直接与微控制器或其他低电压信号源配合使用。 3. 负载开关 在消费电子、工业控制或汽车电子中，IRLZ34NSPBF可用作高效的负载开关，用于动态控制电源分配，降低待机功耗。 4. 电池保护与管理 该器件可用于锂离子电池保护电路，提供过流保护、短路保护和充放电控制功能，确保电池的安全性和稳定性。 5. 音频放大器 在D类音频放大器中，IRLZ34NSPBF可以用作输出级开关，提供高效且低失真的音频信号处理。 6. 信号切换 它适用于高速信号切换应用，例如数据通信接口中的信号路由或隔离。 7. LED驱动 在LED照明系统中，IRLZ34NSPBF可用于恒流驱动或调光控制，支持高效能的LED灯具设计。 总之，IRLZ34NSPBF凭借其低导通电阻（典型值为18 mΩ@Vgs=10V）、高电流承载能力和紧凑的封装（SO-8），成为许多低电压、高效率应用的理想选择。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 55V 30A D2PAKMOSFET 55V 1 N-CH HEXFET 35mOhms 16.7nC |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 30 A |
| Id-连续漏极电流 | 30 A |
| 品牌 | International Rectifier |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRLZ34NSPBFHEXFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRLZ34NSPBF |
| Pd-PowerDissipation | 68 W |
| Pd-功率耗散 | 68 W |
| Qg-GateCharge | 16.7 nC |
| Qg-栅极电荷 | 16.7 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 60 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 60 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 55 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 55 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 16 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 16 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 1 V to 2 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 1 V to 2 V |
| 上升时间 | 100 ns |
| 下降时间 | 29 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 880pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 25nC @ 5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 35 毫欧 @ 16A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | D2PAK |
| 其它名称 | *IRLZ34NSPBF |
| 典型关闭延迟时间 | 21 ns |
| 功率-最大值 | 3.8W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | International Rectifier |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 60 mOhms |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 封装/箱体 | D2PAK-2 |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 50 |
| 正向跨导-最小值 | 11 S |
| 汲极/源极击穿电压 | 55 V |
| 漏极连续电流 | 30 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 55V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 30A （Tc） |
| 设计资源 | http://www.irf.com/product-info/models/SABER/irlz34ns.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/SPICE/irlz34ns.spi |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
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