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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IRLTS6342TRPBF由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRLTS6342TRPBF价格参考。International RectifierIRLTS6342TRPBF封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IRLTS6342TRPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRLTS6342TRPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
描述 | MOSFET N-CH 30V 8.3A TSOP6MOSFET 30V 8.3A 17.5mOhm 2.5V drive capable |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 8.3 A |
Id-连续漏极电流 | 8.3 A |
品牌 | International Rectifier |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRLTS6342TRPBFHEXFET® |
数据手册 | |
产品型号 | IRLTS6342TRPBF |
PCN组件/产地 | |
Pd-PowerDissipation | 2 W |
Pd-功率耗散 | 2 W |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 17.5 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 17.5 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 1.1V @ 10µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1010pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 11nC @ 4.5V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 17.5 毫欧 @ 8.3A,4.5V |
产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26240 |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | 6-TSOP |
其它名称 | IRLTS6342TRPBFCT |
功率-最大值 | 2W |
包装 | 剪切带 (CT) |
商标 | International Rectifier |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
导通电阻 | 17.5 mOhms |
封装 | Reel |
封装/外壳 | 6-LSOP(0.063",1.60mm 宽) |
封装/箱体 | TSOP-6 |
工厂包装数量 | 3000 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 1 |
汲极/源极击穿电压 | 30 V |
漏极连续电流 | 8.3 A |
漏源极电压(Vdss) | 30V |
特色产品 | http://www.digikey.cn/product-highlights/cn/zh/international-rectifier-tsop6-hexfet/3211 |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 8.3A (Ta) |
配置 | Single Quad Drain |