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  • 型号: IRLTS6342TRPBF
  • 制造商: International Rectifier
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供IRLTS6342TRPBF由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRLTS6342TRPBF价格参考。International RectifierIRLTS6342TRPBF封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IRLTS6342TRPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRLTS6342TRPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

描述

MOSFET N-CH 30V 8.3A TSOP6MOSFET 30V 8.3A 17.5mOhm 2.5V drive capable

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

8.3 A

Id-连续漏极电流

8.3 A

品牌

International Rectifier

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,International Rectifier IRLTS6342TRPBFHEXFET®

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产品型号

IRLTS6342TRPBF

PCN组件/产地

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Pd-PowerDissipation

2 W

Pd-功率耗散

2 W

RdsOn-Drain-SourceResistance

17.5 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

17.5 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

30 V

Vds-漏源极击穿电压

30 V

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

1.1V @ 10µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

1010pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

11nC @ 4.5V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

17.5 毫欧 @ 8.3A,4.5V

产品培训模块

http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26240

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

6-TSOP

其它名称

IRLTS6342TRPBFCT

功率-最大值

2W

包装

剪切带 (CT)

商标

International Rectifier

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

导通电阻

17.5 mOhms

封装

Reel

封装/外壳

6-LSOP(0.063",1.60mm 宽)

封装/箱体

TSOP-6

工厂包装数量

3000

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1

汲极/源极击穿电压

30 V

漏极连续电流

8.3 A

漏源极电压(Vdss)

30V

特色产品

http://www.digikey.cn/product-highlights/cn/zh/international-rectifier-tsop6-hexfet/3211

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

8.3A (Ta)

配置

Single Quad Drain

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