(cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)97371 IRLS4030-7PPbF HEXFET(cid:1)(cid:1)Power MOSFET Applications (cid:1)(cid:2)DC Motor Drive D V 100V DSS (cid:1)(cid:2)High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS R typ. 3.2mΩ (cid:1)(cid:2)Uninterruptible Power Supply DS(on) (cid:1)(cid:2)High Speed Power Switching G max. 3.9mΩ (cid:1)(cid:2)Hard Switched and High Frequency Circuits I 190A S D Benefits (cid:1) Optimized for Logic Level Drive (cid:1) Very Low R at 4.5V V (cid:3) DS(ON) GS (cid:1) Superior R*Q at 4.5V V GS (cid:1) Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt Ruggedness (cid:2) (cid:1) Fully Characterized Capacitance and Avalanche (cid:2) (cid:2) SOA (cid:2) (cid:2) (cid:1) Enhanced body diode dV/dt and dI/dt Capability (cid:1) (cid:1)(cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:5)(cid:2)(cid:7)(cid:8) (cid:1)(cid:2)Lead-Free G D S Gate Drain Source Absolute Maximum Ratings Symbol Parameter Max. Units I @ T = 25°C Continuous Drain Current, V @ 10V 190 D C GS I @ T = 100°C Continuous Drain Current, V @ 10V 130 A D C GS IDM Pulsed Drain Current (cid:1) 750 PD @TC = 25°C Maximum Power Dissipation 370 W Linear Derating Factor 2.5 W/°C VGS Gate-to-Source Voltage ± 16 V dv/dt Peak Diode Recovery (cid:2) 13 V/ns TJ Operating Junction and -55 to + 175 °C TSTG Storage Temperature Range Soldering Temperature, for 10 seconds 300 (1.6mm from case) Mounting torque, 6-32 or M3 screw 10lb(cid:8)in (1.1N(cid:8)m) Avalanche Characteristics E Single Pulse Avalanche Energy (cid:3) 320 mJ AS (Thermally limited) I Avalanche Current (cid:1) See Fig. 14, 15, 22a, 22b A AR E Repetitive Avalanche Energy (cid:4) mJ AR Thermal Resistance Symbol Parameter Typ. Max. Units RθJC Junction-to-Case (cid:5)(cid:6) ––– 0.40 °C/W RθJA Junction-to-Ambient (PCB Mount) (cid:7)(cid:5) ––– 40 www.irf.com 1 02/12/09

(cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:6)(cid:8)(cid:9)(cid:10)(cid:10)(cid:11)(cid:12) Static @ T = 25°C (unless otherwise specified) J Symbol Parameter Min. Typ. Max. Units Conditions V Drain-to-Source Breakdown Voltage 100 ––– ––– V V = 0V, I = 250µA (BR)DSS GS D ∆V /∆T Breakdown Voltage Temp. Coefficient ––– 0.10 ––– V/°C Reference to 25°C, I = 5mA(cid:13) (BR)DSS J D RDS(on) Static Drain-to-Source On-Resistance ––– 3.2 3.9 mΩ VGS = 10V, ID = 110A (cid:14) ––– 3.3 4.1 V = 4.5V, I = 94A (cid:14) GS D V Gate Threshold Voltage 1.0 ––– 2.5 V V = V , I = 250µA GS(th) DS GS D I Drain-to-Source Leakage Current ––– ––– 20 µA V = 100V, V = 0V DSS DS GS ––– ––– 250 V = 100V, V = 0V, T = 125°C DS GS J I Gate-to-Source Forward Leakage ––– ––– 100 nA V = 16V GSS GS Gate-to-Source Reverse Leakage ––– ––– -100 V = -16V GS R Internal Gate Resistance ––– 2.0 ––– Ω G(int) Dynamic @ T = 25°C (unless otherwise specified) J Symbol Parameter Min. Typ. Max. Units Conditions gfs Forward Transconductance 250 ––– ––– S V = 25V, I = 110A DS D Q Total Gate Charge ––– 93 140 nC I = 110A g D Q Gate-to-Source Charge ––– 27 ––– V = 50V gs DS Q Gate-to-Drain ("Miller") Charge ––– 43 ––– V = 4.5V (cid:14) gd GS Q Total Gate Charge Sync. (Q - Q ) ––– 50 ––– I = 110A, V =0V, V = 4.5V sync g gd D DS GS t Turn-On Delay Time ––– 53 ––– ns V = 65V d(on) DD t Rise Time ––– 160 ––– I = 110A r D t Turn-Off Delay Time ––– 110 ––– R = 2.7Ω d(off) G t Fall Time ––– 87 ––– V = 4.5V (cid:14) f GS C Input Capacitance ––– 11490 ––– V = 0V iss GS C Output Capacitance ––– 680 ––– V = 50V oss DS C Reverse Transfer Capacitance ––– 300 ––– pF ƒ = 1.0MHz rss Coss eff. (ER) Effective Output Capacitance (Energy Related)(cid:10) ––– 760 ––– VGS = 0V, VDS = 0V to 80V (cid:10) Coss eff. (TR) Effective Output Capacitance (Time Related)(cid:12) ––– 1170 ––– VGS = 0V, VDS = 0V to 80V (cid:12) Diode Characteristics Symbol Parameter Min. Typ. Max. Units Conditions IS Continuous Source Current ––– ––– 190 A MOSFET symbol D (Body Diode) showing the I Pulsed Source Current ––– ––– 750 integral reverse G SM (Body Diode)(cid:11)(cid:13) p-n junction diode. S V Diode Forward Voltage ––– ––– 1.3 V T = 25°C, I = 110A, V = 0V (cid:14) SD J S GS t Reverse Recovery Time ––– 53 ––– ns T = 25°C V = 85V, rr J R ––– 63 ––– T = 125°C I = 110A J F Q Reverse Recovery Charge ––– 99 ––– nC T = 25°C di/dt = 100A/µs (cid:14) rr J ––– 155 ––– T = 125°C J I Reverse Recovery Current ––– 3.3 ––– A T = 25°C RRM J t Forward Turn-On Time Intrinsic turn-on time is negligible (turn-on is dominated by LS+LD) on (cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6) (cid:1)(cid:5)Repetitive rating; pulse width limited by max. junction (cid:5) Coss eff. (TR) is a fixed capacitance that gives the same charging time (cid:2) Lteimmipteedra btuy rTe.Jmax, starting TJ = 25°C, L = 0.05mH (cid:6) Caso sCs oesfsf. w (EhiRle) VisD aS ifsix reisdi ncga pfraocmita 0n ctoe 8th0a%t gVivDeSsS .the same energy as RG = 25Ω, IAS = 110A, VGS =10V. Part not recommended for use Coss while VDS is rising from 0 to 80% VDSS. above this value . (cid:7) When mounted on 1" square PCB (FR-4 or G-10 Material). For recom (cid:3)ISD ≤ 110A, di/dt ≤ 1520A/µs, VDD ≤ V(BR)DSS, TJ ≤ 175°C. mended footprint and soldering techniques refer to application note #AN-994. (cid:4) Pulse width ≤ 400µs; duty cycle ≤ 2%. (cid:8)(cid:5)(cid:9)θ(cid:2)(cid:7)(cid:10)(cid:5)(cid:11)(cid:12)(cid:3)(cid:10)(cid:13)(cid:14)(cid:12)(cid:15)(cid:5)(cid:3)(cid:16)(cid:5)(cid:17)(cid:3)(cid:5)(cid:3)(cid:18)(cid:18)(cid:14)(cid:19)(cid:20)(cid:7)(cid:11)(cid:3)(cid:16)(cid:12)(cid:21)(cid:22)(cid:5)(cid:23)(cid:24)(cid:25)(cid:26)(cid:27) (cid:9)(cid:5)(cid:9) (cid:28)(cid:3)(cid:21)(cid:13)(cid:12)(cid:5)(cid:10)(cid:29)(cid:19)(cid:30)(cid:8)(cid:5)(cid:7)(cid:10)(cid:5)(cid:3)(cid:16)(cid:5)(cid:16)(cid:7)(cid:11)(cid:12)(cid:5)(cid:31)(cid:12)(cid:14)(cid:19)(cid:27) θJC(cid:2) 2 www.irf.com

(cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:6)(cid:8)(cid:9)(cid:10)(cid:10)(cid:11)(cid:12) 1000 1000 VGS VGS TOP 10V TOP 10V 5.0V 5.0V 4.5V 4.5V A) 4.0V A) 4.0V uenrr(t 100 BOTTOM 3322....5075VVVV uen(rrt BOTTOM 3322....5075VVVV C C e e ucr ucr100 o o S S o- o- n-t 10 n-t ai ai 2.5V Dr 2.5V Dr , D , D I ≤60µs PULSE WIDTH I ≤60µs PULSE WIDTH Tj = 25°C Tj = 175°C 1 10 0.1 1 10 100 1000 0.1 1 10 100 1000 VDS, Drain-to-Source Voltage (V) VDS, Drain-to-Source Voltage (V) Fig 1. Typical Output Characteristics Fig 2. Typical Output Characteristics 1000 3.0 ec ID = 110A n A()nt 100 TJ = 175°C Raessti 2.5 VGS = 10V e n CSoeuoucr-rr 10 TJ = 25°C OSenooucr-- t mNaedoz)rli12..50 Danr-I, tiD 1 V≤6D0Sµ s= P2U5VLSE WIDTH Dar, iRDSno)( ( 1.0 0.1 0.5 1 2 3 4 5 -60-40-20 0 20 40 60 80100120140160180 VGS, Gate-to-Source Voltage (V) TJ , Junction Temperature (°C) Fig 4. Normalized On-Resistance vs. Temperature Fig 3. Typical Transfer Characteristics 100000 5.0 VGS = 0V, f = 1 MHZ Ciss = Cgs + Cgd, Cds SHORTED ID= 110A VDS= 80V CCrossss == CCdgsd + Cgd Ve() 4.0 VDS= 50V g Fp) 10000 Ciss oatl neac( Vuecr 3.0 cti So Caap Coss eo--t 2.0 C, 1000 Gat Crss , GS 1.0 V 100 0.0 1 10 100 1000 0 20 40 60 80 100 120 VDS, Drain-to-Source Voltage (V) QG, Total Gate Charge (nC) Fig 5. Typical Capacitance vs. Drain-to-Source Voltage Fig 6. Typical Gate Charge vs. Gate-to-Source Voltage www.irf.com 3

(cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:6)(cid:8)(cid:9)(cid:10)(cid:10)(cid:11)(cid:12) 1000 10000 OPERATION IN THIS AREA LIMITED BY RDS(on) A) TJ = 175°C A) 1000 en(t 100 en(t 100µsec urr urr C C 100 n e Dari 10 TJ = 25°C oucr 1msec es So- 10 10msec evr n-t e ai DC R, DS 1 Dr, D 1 Tc = 25°C I I Tj = 175°C VGS = 0V Single Pulse 0.1 0.1 0.0 0.5 1.0 1.5 2.0 1 10 100 1000 VSD, Source-to-Drain Voltage (V) VDS, Drain-to-Source Voltage (V) Fig 7. Typical Source-Drain Diode Fig 8. Maximum Safe Operating Area Forward Voltage 200 V) 125 ge( Id = 5mA 180 a Votl 120 160 n w CAuenrr()t 111024000 Boadeekcr 111105 n ur Dar,iD 6800 Snoo--t 105 I ai 40 Dr , 100 S 20 S D R) 0 B 95 25 50 75 100 125 150 175 V( -60-40-20 0 20 40 60 80100120140160180 TC , Case Temperature (°C) TJ , Temperature ( °C ) Fig 9. Maximum Drain Current vs. Fig 10. Drain-to-Source Breakdown Voltage Case Temperature 4.0 1400 J) ID m 3.5 y( 1200 TOP 12A 3.0 egr 16A En1000 BOTTOM110A e 2.5 h µJ) anc 800 Enegyr( 12..50 Aauesv ll 600 P e 400 1.0 gl n Si 0.5 , S 200 A E 0.0 0 -20 0 20 40 60 80 100 120 25 50 75 100 125 150 175 VDS, Drain-to-Source Voltage (V) Starting TJ , Junction Temperature (°C) Fig 11. Typical C Stored Energy OSS Fig 12. Maximum Avalanche Energy vs. DrainCurrent 4 www.irf.com

(cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:6)(cid:8)(cid:9)(cid:10)(cid:10)(cid:11)(cid:12) 1 W D = 0.50 C/ °) C 0.1 0.20 J 0.10 h Z t 0.05 Roneepss( 0.01 00..0012 τJτJτ1τ1 R1R1 τ2τR22R2 τCτC R00i (..12°C7267/W ) 00 τ..00i (00s06e30c47)33 ma l0.001 Ci=Ci =τi /τRi/iRi ehr SINGLE PULSE Notes: T ( THERMAL RESPONSE ) 1. Duty Factor D = t1/t2 2. Peak Tj = P dm x Zthjc + Tc 0.0001 1E-006 1E-005 0.0001 0.001 0.01 0.1 t1 , Rectangular Pulse Duration (sec) Fig 13. Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Case 1000 Duty Cycle = Single Pulse Allowed avalanche Current vs avalanche 100 pulsewidth, tav, assuming ∆Tj = 150°C and A) 0.01 Tstart =25°C (Single Pulse) n(t e urr 0.05 C 10 0.10 e h c n a al v A 1 Allowed avalanche Current vs avalanche pulsewidth, tav, assuming ∆Τj = 25°C and Tstart = 150°C. 0.1 1.0E-06 1.0E-05 1.0E-04 1.0E-03 1.0E-02 1.0E-01 tav (sec) Fig 14. Typical Avalanche Current vs.Pulsewidth 400 Notes on Repetitive Avalanche Curves , Figures 14, 15: TOP Single Pulse (For further info, see AN-1005 at www.irf.com) BOTTOM 1.0% Duty Cycle 1.Avalanche failures assumption: J) ID = 110A Purely a thermal phenomenon and failure occurs at a temperature far in mgy( 300 2. Sexacfee sosp oefr aTtjimoanx .i nT Ahivsa ilsa nvcahlied aiste adl lfoowr eedv earsy lpoanrgt tayspTej.max is not exceeded. er 3. Equation below based on circuit and waveforms shown in Figures 16a, 16b. En 4. PD (ave) = Average power dissipation per single avalanche pulse. e 5. BV = Rated breakdown voltage (1.3 factor accounts for voltage increase h 200 nc during avalanche). aal 6. Iav = Allowable avalanche current. Av 7. ∆T = Allowable rise in junction temperature, not to exceed Tjmax (assumed as , R 100 25°C in Figure 14, 15). A t Average time in avalanche. E av = D = Duty cycle in avalanche = t ·f av Z (D, t ) = Transient thermal resistance, see Figures 13) thJC av 0 P = 1/2 ( 1.3·BV·I ) =(cid:7)(cid:1)T/ Z D (ave) av thJC 25 50 75 100 125 150 175 I =2(cid:1)T/ [1.3·BV·Z ] av th Starting TJ , Junction Temperature (°C) EAS (AR) = PD (ave)·tav Fig 15. Maximum Avalanche Energy vs. Temperature www.irf.com 5

(cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:6)(cid:8)(cid:9)(cid:10)(cid:10)(cid:11)(cid:12) 3.0 30 IF = 75A Veg() 2.5 25 VTJR = = 2 855°VC a Votl 2.0 20 TJ = 125°C d ol A) ehhsr 1.5 ID = 250µA ( MR 15 Gae tt 1.0 IIDD == 11..00AmA IR 10 , h) S(t G 0.5 5 V 0.0 0 -75 -50 -25 0 25 50 75 100 125 150 175 0 200 400 600 800 1000 TJ , Temperature ( °C ) diF /dt (A/µs) (cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:3)(cid:4)(cid:3)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:10)(cid:11)(cid:3)(cid:12)(cid:13)(cid:9)(cid:14)(cid:15)(cid:13)(cid:16)(cid:6)(cid:3)(cid:17)(cid:18)(cid:16)(cid:16)(cid:13)(cid:19)(cid:20)(cid:3)(cid:15)(cid:21)(cid:22)(cid:3)(cid:23)(cid:8)(cid:24)(cid:23)(cid:20) Fig 16. Threshold Voltage vs. Temperature (cid:1) 30 1400 IF = 110A IF = 75A 25 VR = 85V 1200 VR = 85V TJ = 25°C TJ = 25°C 20 TJ = 125°C 1000 TJ = 125°C A) A) 800 ( M 15 ( R R R R Q 600 I 10 400 5 200 0 0 0 200 400 600 800 1000 0 200 400 600 800 1000 diF /dt (A/µs) diF /dt (A/µs) (cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:9)(cid:3)(cid:4)(cid:3)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:10)(cid:11)(cid:3)(cid:12)(cid:13)(cid:9)(cid:14)(cid:15)(cid:13)(cid:16)(cid:6)(cid:3)(cid:17)(cid:18)(cid:16)(cid:16)(cid:13)(cid:19)(cid:20)(cid:3)(cid:15)(cid:21)(cid:22)(cid:3)(cid:23)(cid:8)(cid:24)(cid:23)(cid:20) (cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:8)(cid:3)(cid:4)(cid:3)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:10)(cid:11)(cid:3)(cid:25)(cid:20)(cid:14)(cid:16)(cid:13)(cid:23)(cid:3)(cid:17)(cid:26)(cid:10)(cid:16)(cid:27)(cid:13)(cid:3)(cid:15)(cid:21)(cid:22)(cid:3)(cid:23)(cid:8)(cid:24)(cid:23)(cid:20) (cid:1) (cid:1) 1600 IF = 110A 1400 VR = 85V 1200 TJ = 25°C TJ = 125°C 1000 A) ( R 800 R Q 600 400 200 0 0 200 400 600 800 1000 diF /dt (A/µs) (cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:10)(cid:11)(cid:3)(cid:4)(cid:3)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:10)(cid:11)(cid:3)(cid:25)(cid:20)(cid:14)(cid:16)(cid:13)(cid:23)(cid:3)(cid:17)(cid:26)(cid:10)(cid:16)(cid:27)(cid:13)(cid:3)(cid:15)(cid:21)(cid:22)(cid:3)(cid:23)(cid:8)(cid:24)(cid:23)(cid:20) (cid:1) 6 www.irf.com

(cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:6)(cid:8)(cid:9)(cid:10)(cid:10)(cid:11)(cid:12) Driver Gate Drive (cid:8)(cid:9)(cid:10)(cid:9)(cid:11) P.W. Period D = + P.W. Period (cid:29) (cid:3) (cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:5)(cid:9)(cid:2)(cid:10)(cid:11)(cid:12)(cid:13)(cid:8)(cid:9)(cid:2)(cid:4)(cid:13)(cid:14)(cid:15)(cid:5)(cid:16)(cid:17)(cid:6)(cid:11)(cid:9)(cid:5)(cid:13)(cid:14)(cid:15) VGS=10V • (cid:2)(cid:10)(cid:13)(cid:18)(cid:2)(cid:19)(cid:9)(cid:6)(cid:11)(cid:12)(cid:2)(cid:20)(cid:14)(cid:16)(cid:8)(cid:7)(cid:9)(cid:11)(cid:14)(cid:7)(cid:17) (cid:2)(cid:2) • (cid:21)(cid:6)(cid:13)(cid:8)(cid:14)(cid:16)(cid:2)(cid:22)(cid:23)(cid:11)(cid:14)(cid:17) - (cid:2)(cid:2) • (cid:10)(cid:13)(cid:18)(cid:2)(cid:10)(cid:17)(cid:11)(cid:24)(cid:11)(cid:25)(cid:17)(cid:2)(cid:20)(cid:14)(cid:16)(cid:8)(cid:7)(cid:9)(cid:11)(cid:14)(cid:7)(cid:17) (cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:4)(cid:8)(cid:6)(cid:6)(cid:17)(cid:14)(cid:9)(cid:2)(cid:26)(cid:6)(cid:11)(cid:14)(cid:15)(cid:27)(cid:13)(cid:6)(cid:28)(cid:17)(cid:6) D.U.T. ISDWaveform + (cid:2) Reverse (cid:4) Recovery Body Diode Forward - + Current Current - di/dt D.U.T. VDSWaveform Diode Recovery (cid:1) dv/dt VDD (cid:9)(cid:21) • (cid:16)(cid:30)(cid:31)(cid:16)(cid:9)(cid:2)(cid:7)(cid:13)(cid:14)(cid:9)(cid:6)(cid:13)(cid:23)(cid:23)(cid:17)(cid:16)(cid:2) (cid:12)(cid:2)!(cid:1) (cid:29)(cid:29) Re-Applied • (cid:29)(cid:6)(cid:5)(cid:30)(cid:17)(cid:6)(cid:2)(cid:15)(cid:11)(cid:28)(cid:17)(cid:2)(cid:9)(cid:12)"(cid:17)(cid:2)(cid:11)(cid:15)(cid:2)(cid:29)#$#(cid:26)# + Voltage Body Diode Forward Drop • (cid:20)(cid:2)(cid:3)(cid:2)(cid:7)(cid:13)(cid:14)(cid:9)(cid:6)(cid:13)(cid:23)(cid:23)(cid:17)(cid:16)(cid:2) (cid:12)(cid:2)(cid:29)(cid:8)(cid:9)(cid:12)(cid:2)%(cid:11)(cid:7)(cid:9)(cid:13)(cid:6)(cid:2)&(cid:29)& - (cid:20)I(cid:14)n(cid:16)d(cid:8)u(cid:7)c(cid:9)t(cid:13)o(cid:6)r(cid:2) C(cid:4)u(cid:8)r(cid:6)e(cid:6)(cid:17)n(cid:14)t(cid:9) • (cid:29)#$#(cid:26)#(cid:2)’(cid:2)(cid:29)(cid:17)(cid:30)(cid:5)(cid:7)(cid:17)(cid:2)$(cid:14)(cid:16)(cid:17)(cid:6)(cid:2)(cid:26)(cid:17)(cid:15)(cid:9) Ripple ≤ 5% ISD (cid:29)(cid:5) (cid:5)!(cid:5)" (cid:5)#(cid:19)(cid:14)(cid:5)$(cid:19)%(cid:7)&(cid:5)$(cid:12)(cid:28)(cid:12)(cid:21)(cid:5)(cid:1)(cid:12)(cid:28)(cid:7)&(cid:12)(cid:10) (cid:21)(cid:19) Fig 21. (cid:1)(cid:13)(cid:10)(cid:28)(cid:3)(cid:2)(cid:8)(cid:14)(cid:23)(cid:13)(cid:3)(cid:12)(cid:13)(cid:9)(cid:14)(cid:15)(cid:13)(cid:16)(cid:6)(cid:3)(cid:23)(cid:15)(cid:24)(cid:23)(cid:20)(cid:3)(cid:5)(cid:13)(cid:21)(cid:20)(cid:3)(cid:17)(cid:8)(cid:16)(cid:9)(cid:18)(cid:8)(cid:20)(cid:3)for N-Channel HEXFET(cid:2)(cid:3)Power MOSFETs V(BR)DSS 15V tp VDS L DRIVER RG D.U.T + - VDD IAS A 2V0GVS tp 0.01Ω IAS Fig 22a. Unclamped Inductive Test Circuit Fig 22b. Unclamped Inductive Waveforms (cid:9) (cid:29) (cid:29)(cid:19) VDS 90% (cid:21)(cid:19) (cid:1)(cid:27)’(cid:27)(cid:17)(cid:27) (cid:9) (cid:21) + - (cid:29)(cid:29) ((cid:21)(cid:24)(cid:19) 10% (cid:22)(cid:8)(cid:23)(cid:15)(cid:17)(cid:2)((cid:5)(cid:16)(cid:9))(cid:2)≤ 1 *(cid:15) V GS (cid:29)(cid:8)(cid:9)(cid:12)(cid:2)%(cid:11)(cid:7)(cid:9)(cid:13)(cid:6)(cid:2)≤ 0.1 % td(on) tr td(off) tf Fig 23a. Switching Time Test Circuit Fig 23b. Switching Time Waveforms CurrentRegulator Id SameTypeas D.U.T. Vds Vgs 50KΩ 12V .2µF .3µF + D.U.T. -VDS Vgs(th) VGS 3mA IG ID Qgs1 Qgs2 Qgd Qgodr CurrentSampling Resistors Fig 24a. Gate Charge Test Circuit Fig 24b. Gate Charge Waveform www.irf.com 7

(cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:6)(cid:8)(cid:9)(cid:10)(cid:10)(cid:11)(cid:12) D2Pak - 7 Pin Package Outline Dimensions are shown in millimeters (inches) 8 www.irf.com

(cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:6)(cid:8)(cid:9)(cid:10)(cid:10)(cid:11)(cid:12) D2Pak - 7 Pin Part Marking Information (cid:1)(cid:2)(cid:3) D2Pak - 7 Pin Tape and Reel (cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:2)(cid:8)(cid:6)(cid:3)(cid:9)(cid:4)(cid:6)(cid:10)(cid:2)(cid:11)(cid:3)(cid:6)(cid:12)(cid:13)(cid:8)(cid:8)(cid:4)(cid:14)(cid:3)(cid:6)(cid:15)(cid:8)(cid:16)(cid:17)(cid:18)(cid:14)(cid:19)(cid:6)(cid:20)(cid:21)(cid:4)(cid:16)(cid:11)(cid:4)(cid:6)(cid:8)(cid:4)(cid:22)(cid:4)(cid:8)(cid:6)(cid:3)(cid:2)(cid:6)(cid:23)(cid:24)(cid:6)(cid:17)(cid:4)(cid:25)(cid:11)(cid:18)(cid:3)(cid:4)(cid:6)(cid:16)(cid:3)(cid:5)(cid:6)(cid:9)(cid:3)(cid:3)(cid:20)(cid:5)(cid:26)(cid:26)(cid:17)(cid:17)(cid:17)(cid:27)(cid:18)(cid:8)(cid:22)(cid:27)(cid:12)(cid:2)(cid:10)(cid:26)(cid:20)(cid:16)(cid:12)(cid:28)(cid:16)(cid:19)(cid:4)(cid:26) Data and specifications subject to change without notice. This product has been designed and qualified for the Industrial market. Qualification Standards can be found on IR’s Web site. IR WORLD HEADQUARTERS: 233 Kansas St., El Segundo, California 90245, USA Tel: (310) 252-7105 TAC Fax: (310) 252-7903 Visit us at www.irf.com for sales contact information. 02/09 www.irf.com 9

Mouser Electronics Authorized Distributor Click to View Pricing, Inventory, Delivery & Lifecycle Information: I nfineon: IRLS4030TRL7PP IRLS4030-7PPBF