ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 单 > IRLS3036TRLPBF
数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
+xxxx | $xxxx | ¥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IRLS3036TRLPBF由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRLS3036TRLPBF价格参考¥19.97-¥31.95。International RectifierIRLS3036TRLPBF封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 60V 195A(Tc) 380W(Tc) D2PAK。您可以下载IRLS3036TRLPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRLS3036TRLPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
描述 | MOSFET N-CH 60V 195A D2PAKMOSFET MOSFT 60V 270A 2.4mOhm 91nC Log Lvl |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 270 A |
Id-连续漏极电流 | 270 A |
品牌 | International Rectifier |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRLS3036TRLPBFHEXFET® |
数据手册 | |
产品型号 | IRLS3036TRLPBF |
PCN其它 | |
PCN组件/产地 | |
Pd-PowerDissipation | 380 W |
Pd-功率耗散 | 380 W |
Qg-GateCharge | 140 nC |
Qg-栅极电荷 | 140 nC |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 2.4 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 2.4 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 60 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 60 V |
Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 2.5 V |
Vgsth-栅源极阈值电压 | 2.5 V |
上升时间 | 220 ns |
下降时间 | 110 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2.5V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 11210pF @ 50V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 140nC @ 4.5V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 2.4 毫欧 @ 165A,10V |
产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250 |
产品目录页面 | |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | D2PAK |
其它名称 | IRLS3036TRLPBFCT |
功率-最大值 | 380W |
包装 | 剪切带 (CT) |
商标 | International Rectifier |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
导通电阻 | 2.4 mOhms |
封装 | Reel |
封装/外壳 | TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB |
封装/箱体 | D2PAK-2 |
工厂包装数量 | 800 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 175 C |
标准包装 | 1 |
正向跨导-最小值 | 340 S |
汲极/源极击穿电压 | 60 V |
漏极连续电流 | 270 A |
漏源极电压(Vdss) | 60V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 195A (Tc) |
配置 | Single |