(cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:3)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:9) IRLS3034-7PPbF Applications HEXFET(cid:1)(cid:1)Power MOSFET (cid:1)(cid:2)DC Motor Drive (cid:1)(cid:2)High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS D V 40V DSS (cid:1)(cid:2)Uninterruptible Power Supply R typ. 1.0mΩ (cid:1)(cid:2)High Speed Power Switching DS(on) (cid:1)(cid:2)Hard Switched and High Frequency Circuits max. 1.4mΩ G I 380A(cid:1) D (Silicon Limited) Benefits (cid:1) Optimized for Logic Level Drive S ID (Package Limited) 240A (cid:1) Very Low R at 4.5V V DS(ON) GS (cid:1) Superior R*Q at 4.5V V GS (cid:1) Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt (cid:3) Ruggedness (cid:1) Fully Characterized Capacitance and Avalanche SOA (cid:1) Enhanced body diode dV/dt and dI/dt Capability (cid:2)(cid:2) (cid:2) (cid:1)(cid:2)Lead-Free (cid:2) (cid:2) (cid:1) (cid:1)(cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:5)(cid:2)(cid:7)(cid:8) G D S Gate Drain Source Absolute Maximum Ratings Symbol Parameter Max. Units I @ T = 25°C Continuous Drain Current, V @ 10V (Silicon Limited) 380(cid:8) D C GS I @ T = 100°C Continuous Drain Current, V @ 10V (Silicon Limited) 270(cid:8) D C GS A I @ T = 25°C Continuous Drain Current, V @ 10V (Wire Bond Limited) 240 D C GS IDM Pulsed Drain Current (cid:1) 1540 PD @TC = 25°C Maximum Power Dissipation 380 W Linear Derating Factor 2.5 W/°C VGS Gate-to-Source Voltage ± 20 V dv/dt Peak Diode Recovery (cid:2) 1.3 V/ns TJ Operating Junction and -55 to + 175 TSTG Storage Temperature Range °C Soldering Temperature, for 10 seconds 300 (1.6mm from case) Avalanche Characteristics E Single Pulse Avalanche Energy (cid:3) 250 mJ AS (Thermally limited) I Avalanche Current(cid:4)(cid:1) See Fig. 14, 15, 22a, 22b A AR E Repetitive Avalanche Energy (cid:1) mJ AR Thermal Resistance Symbol Parameter Typ. Max. Units RθJC Junction-to-Case (cid:5)(cid:6) ––– 0.40 °C/W RθJA Junction-to-Ambient (cid:7) ––– 40 www.irf.com 1 1/12/09

(cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:5)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:10)(cid:10)(cid:11)(cid:12) Static @ T = 25°C (unless otherwise specified) J Symbol Parameter Min. Typ. Max. Units Conditions V Drain-to-Source Breakdown Voltage 40 ––– ––– V V = 0V, I = 250µA (BR)DSS GS D ∆V /∆T Breakdown Voltage Temp. Coefficient ––– 0.035 ––– V/°C Reference to 25°C, I = 5mA(cid:2) (BR)DSS J D RDS(on) Static Drain-to-Source On-Resistance ––– 1.0 1.4 mΩ VGS = 10V, ID = 200A (cid:10) 1.2 1.7 V = 4.5V, I = 180A (cid:10) GS D V Gate Threshold Voltage 1.0 ––– 2.5 V V = V , I = 250µA GS(th) DS GS D I Drain-to-Source Leakage Current ––– ––– 20 µA V = 40V, V = 0V DSS DS GS ––– ––– 250 V = 40V, V = 0V, T = 125°C DS GS J I Gate-to-Source Forward Leakage ––– ––– 100 nA V = 20V GSS GS Gate-to-Source Reverse Leakage ––– ––– -100 V = -20V GS R Internal Gate Resistance ––– 1.9 ––– Ω G Dynamic @ T = 25°C (unless otherwise specified) J Symbol Parameter Min. Typ. Max. Units Conditions gfs Forward Transconductance 370 ––– ––– S V = 10V, I = 220A DS D Q Total Gate Charge ––– 120 180 nC I = 170A g D Q Gate-to-Source Charge ––– 32 ––– V =20V gs DS Q Gate-to-Drain ("Miller") Charge ––– 71 ––– V = 4.5V (cid:10) gd GS Q Total Gate Charge Sync. (Q - Q ) ––– 49 ––– I = 170A, V =0V, V = 4.5V sync g gd D DS GS t Turn-On Delay Time ––– 71 ––– ns V = 26V d(on) DD t Rise Time ––– 590 ––– I = 220A r D t Turn-Off Delay Time ––– 94 ––– R = 2.7Ω d(off) G t Fall Time ––– 200 ––– V = 4.5V (cid:10) f GS C Input Capacitance ––– 10990 ––– pF V = 0V iss GS C Output Capacitance ––– 2030 ––– V = 40V oss DS C Reverse Transfer Capacitance ––– 1100 ––– ƒ = 1.0MHz, See Fig. 5 rss Coss eff. (ER) Effective Output Capacitance (Energy Related) ––– 2520 ––– VGS = 0V, VDS = 0V to 32V (cid:11), See Fig. 11 Coss eff. (TR) Effective Output Capacitance (Time Related)(cid:9) ––– 3060 ––– VGS = 0V, VDS = 0V to 32V (cid:9) Diode Characteristics Symbol Parameter Min. Typ. Max. Units Conditions IS Continuous Source Current ––– ––– 380(cid:1) A MOSFET symbol D (Body Diode) showing the ISM Pulsed Source Current ––– ––– 1540 A integral reverse G (Body Diode)(cid:4)(cid:2) p-n junction diode. S V Diode Forward Voltage ––– ––– 1.3 V T = 25°C, I = 200A, V = 0V (cid:10) SD J S GS t Reverse Recovery Time ––– 46 ––– ns T = 25°C V = 34V, rr J R ––– 49 ––– T = 125°C I = 220A J F Q Reverse Recovery Charge ––– 100 ––– nC T = 25°C di/dt = 100A/µs (cid:10) rr J ––– 110 ––– T = 125°C J I Reverse Recovery Current ––– 3.7 ––– A T = 25°C RRM J t Forward Turn-On Time Intrinsic turn-on time is negligible (turn-on is dominated by LS+LD) on (cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6) (cid:1)(cid:5)Calculated continuous current based on maximum allowable junction (cid:4)I ≤ 220A, di/dt ≤ 1240A/µs, V ≤ V , T ≤ 175°C. SD DD (BR)DSS J temperature. Bond wire current limit is 240A. Note that current (cid:5) Pulse width ≤ 400µs; duty cycle ≤ 2%. limitations arising from heating of the device leads may occur with (cid:6) Coss eff. (TR) is a fixed capacitance that gives the same charging time some lead mounting arrangements. (cid:9)(cid:10)(cid:11)(cid:12)(cid:11)(cid:13)(cid:5)(cid:14)(cid:15)(cid:5)(cid:16)(cid:17)(cid:18)(cid:19)(cid:19)(cid:20)(cid:21)(cid:22) as Coss while VDS is rising from 0 to 80% VDSS. (cid:2)(cid:5)Repetitive rating; pulse width limited by max. junction (cid:7) Coss eff. (ER) is a fixed capacitance that gives the same energy as temperature. Coss while VDS is rising from 0 to 80% VDSS. (cid:3) Limited by TJmax, starting TJ = 25°C, L = 0.010mH (cid:8) When mounted on 1" square PCB (FR-4 or G-10 Material). For recom RG = 25Ω, IAS = 220A, VGS =10V. Part not recommended for use mended footprint and soldering techniques refer to application note #AN-994. (cid:9)(cid:5)(cid:10) (cid:7)(cid:23)(cid:5)(cid:24)(cid:11)(cid:3)(cid:23)(cid:25)(cid:13)(cid:11)(cid:26)(cid:5)(cid:3)(cid:14)(cid:5)(cid:27) (cid:5)(cid:3)(cid:28)(cid:28)(cid:13)(cid:15)(cid:29)(cid:7)(cid:24)(cid:3)(cid:14)(cid:11)(cid:30)(cid:31)(cid:5) (cid:21)!"# above this value . θ(cid:2) (cid:3) (cid:10)(cid:5)(cid:10) $(cid:3)(cid:30)(cid:25)(cid:11)(cid:5)(cid:23)%(cid:15)&(cid:8)(cid:5)(cid:7)(cid:23)(cid:5)(cid:3)(cid:14)(cid:5)(cid:14)(cid:7)(cid:24)(cid:11)(cid:5)’(cid:11)(cid:13)(cid:15)# θJC(cid:2) 2 www.irf.com

(cid:1)(cid:2)(cid:12)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:5)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:10)(cid:10)(cid:11)(cid:12) 100000 10000 VGS ≤60µs PULSE WIDTH VGS ≤60µs PULSE WIDTH TOP 10V TOP 10V 5.0V Tj = 25°C 5.0V Tj = 175°C A) 10000 44..50VV A) 44..50VV Cuen(rrt 1000 BOTTOM 3322....5085VVVV Cuen(rrt 1000 BOTTOM 3322....5085VVVV e e c c ur ur o o S S o- 100 o- n-t n-t100 ai ai Dr Dr , D 10 , D 2.5V I I 2.5V 1 10 0.1 1 10 100 0.1 1 10 100 VDS, Drain-to-Source Voltage (V) VDS, Drain-to-Source Voltage (V) Fig 1. Typical Output Characteristics Fig 2. Typical Output Characteristics 1000 2.0 ec ID = 200A n A()Cuenuecrrrt 10100 TJ = 175°C ORSaneessoucrt i aedz)li1.5 VGS = 10V Soo- TJ = 25°C no--t mNor Danr-I, tiD 1 V≤6D0Sµ s= P2U5VLSE WIDTH Dar, iRDSno)( ( 1.0 0.1 0.5 1 2 3 4 5 -60-40-20 0 20 40 60 80100120140160180 VGS, Gate-to-Source Voltage (V) TJ , Junction Temperature (°C) Fig 4. Normalized On-Resistance vs. Temperature Fig 3. Typical Transfer Characteristics 100000 5.0 VCGisSs == C0Vg,s + C f g=d 1, MCHdsZ SHORTED ID= 170A VDS= 32V CCrossss == CCdgsd + Cgd Ve() 4.0 VDS= 20V g Fp) oatl neacc( ti 10000 CCoissss VSouecr 3.0 CCaap, Crss Gaeo--tt 2.0 , S G 1.0 V 1000 0.0 0.1 1 10 100 0 25 50 75 100 125 150 VDS, Drain-to-Source Voltage (V) QG, Total Gate Charge (nC) Fig 5. Typical Capacitance vs. Drain-to-Source Voltage Fig 6. Typical Gate Charge vs. Gate-to-Source Voltage www.irf.com 3

(cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:5)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:10)(cid:10)(cid:11)(cid:12) 1000 10000 OPERATION IN THIS AREA LIMITED BY RDS(on) An()t TJ = 175°C An()t 1000 100µsec e e Curr 100 Curr 1msec n e Dari oucr 100 eevsr 10 TJ = 25°C Sno--t Limited by package Re, DS Dar, iD 10 Tc = 25°C DC 10msec I I Tj = 175°C VGS = 0V Single Pulse 1.0 1 0.0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 0 1 10 100 VSD, Source-to-Drain Voltage (V) VDS, Drain-to-Source Voltage (V) Fig 7. Typical Source-Drain Diode Fig 8. Maximum Safe Operating Area Forward Voltage 400 V) 50 ge( Id = 5mA a Limited By Package otl V n 48 300 w A) od Cuenrr(t 200 Baeekcr 46 n ur Dar,iD Snoo--t 44 I 100 ai Dr 42 , S S D R) 0 B 40 25 50 75 100 125 150 175 V( -60-40-20 0 20 40 60 80100120140160180 TC , Case Temperature (°C) TJ , Temperature ( °C ) Fig 10. Drain-to-Source Breakdown Voltage Fig 9. Maximum Drain Current vs. Case Temperature 2.5 1200 mJ) ID y( 1000 TOP 47A 2.0 egr 94A En BOTTOM220A e 800 h J) 1.5 nc µ a gy( Aavl 600 Eenr 1.0 eus l P 400 e gl n 0.5 Si , S 200 A E 0.0 0 -5 0 5 10 15 20 25 30 35 40 45 25 50 75 100 125 150 175 VDS, Drain-to-Source Voltage (V) Starting TJ , Junction Temperature (°C) Fig 11. Typical C Stored Energy Fig 12. Maximum Avalanche Energy Vs. DrainCurrent OSS 4 www.irf.com

(cid:1)(cid:2)(cid:12)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:5)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:10)(cid:10)(cid:11)(cid:12) 1 W C/ ° D = 0.50 ) C J 0.1 h 0.20 t Z mRaeponess( l 0.01 0000....10000512 τJτJτ1Cτi1= τi/RiR1R1 τ2τR22R2 Rτ33Rτ33 τR4τ4R44τCτR0000i ....(0011°0585C7038/4486W1144 ) 0000 ....τ0000i 0000(0018s0018e0360c5819) Ther SINGLE PULSE Ci i/Ri N1.o Dteust:y Factor D = t1/t2 ( THERMAL RESPONSE ) 2. Peak Tj = P dm x Zthjc + Tc 0.001 1E-006 1E-005 0.0001 0.001 0.01 0.1 t1 , Rectangular Pulse Duration (sec) Fig 13. Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Case 1000 Duty Cycle = Single Pulse Allowed avalanche Current vs avalanche 0.01 pulsewidth, tav, assuming ∆Tj = 150°C and A) Tstart =25°C (Single Pulse) n(t 100 e urr 0.05 C e 0.10 h c n a al 10 v A Allowed avalanche Current vs avalanche pulsewidth, tav, assuming ∆Τj = 25°C and Tstart = 150°C. 1 1.0E-06 1.0E-05 1.0E-04 1.0E-03 1.0E-02 1.0E-01 tav (sec) Fig 14. Typical Avalanche Current vs.Pulsewidth 300 Notes on Repetitive Avalanche Curves , Figures 14, 15: TOP Single Pulse (For further info, see AN-1005 at www.irf.com) BOTTOM 1.0% Duty Cycle 1.Avalanche failures assumption: J) 250 ID = 220A Purely a thermal phenomenon and failure occurs at a temperature far in m excess of T . This is validated for every part type. gy( 200 2. Safe operatjimoanx in Avalanche is allowed as long asTjmax is not exceeded. er 3. Equation below based on circuit and waveforms shown in Figures 22a, 22b. En 4. PD (ave) = Average power dissipation per single avalanche pulse. e 5. BV = Rated breakdown voltage (1.3 factor accounts for voltage increase h 150 nc during avalanche). aal 6. Iav = Allowable avalanche current. Av 100 7. ∆T = Allowable rise in junction temperature, not to exceed Tjmax (assumed as , R 25°C in Figure 14, 15). A t Average time in avalanche. E av = 50 D = Duty cycle in avalanche = t ·f av Z (D, t ) = Transient thermal resistance, see Figures 13) thJC av 0 P = 1/2 ( 1.3·BV·I ) =(cid:7)(cid:1)T/ Z D (ave) av thJC 25 50 75 100 125 150 175 I =2(cid:1)T/ [1.3·BV·Z ] av th Starting TJ , Junction Temperature (°C) EAS (AR) = PD (ave)·tav Fig 15. Maximum Avalanche Energy vs. Temperature www.irf.com 5

(cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:5)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:10)(cid:10)(cid:11)(cid:12) 3.0 16 IF = 89A Vge() 2.5 14 VTJR = = 2 354°VC a Votl 2.0 12 TJ = 125°C d hehosrl 1.5 ID = 250µA A() MR 10 ae tt ID = 1.0mA IR 8 G 1.0 ID = 1.0A , h) 6 S(t G 0.5 4 V 0.0 2 -75 -50 -25 0 25 50 75 100 125 150 175 0 100 200 300 400 500 600 700 TJ , Temperature ( °C ) diF /dt (A/µs) (cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:3)(cid:4)(cid:3)(cid:10)(cid:11)(cid:12)(cid:13)(cid:14)(cid:15)(cid:16)(cid:3)(cid:17)(cid:18)(cid:14)(cid:19)(cid:20)(cid:18)(cid:21)(cid:11)(cid:3)(cid:22)(cid:23)(cid:21)(cid:21)(cid:18)(cid:24)(cid:25)(cid:3)(cid:20)(cid:26)(cid:27)(cid:3)(cid:28)(cid:13)(cid:29)(cid:28)(cid:25) Fig 16. Threshold Voltage vs. Temperature (cid:1) 16 900 IF = 134A IF = 89A 800 14 VR = 34V VR = 34V TJ = 25°C 700 TJ = 25°C 12 TJ = 125°C 600 TJ = 125°C A) 10 A) 500 ( M ( R RR 8 QR 400 I 300 6 200 4 100 2 0 0 100 200 300 400 500 600 700 0 100 200 300 400 500 600 700 800 diF /dt (A/µs) diF /dt (A/µs) (cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:9)(cid:3)(cid:4)(cid:3)(cid:10)(cid:11)(cid:12)(cid:13)(cid:14)(cid:15)(cid:16)(cid:3)(cid:17)(cid:18)(cid:14)(cid:19)(cid:20)(cid:18)(cid:21)(cid:11)(cid:3)(cid:22)(cid:23)(cid:21)(cid:21)(cid:18)(cid:24)(cid:25)(cid:3)(cid:20)(cid:26)(cid:27)(cid:3)(cid:28)(cid:13)(cid:29)(cid:28)(cid:25) (cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:8)(cid:3)(cid:4)(cid:3)(cid:10)(cid:11)(cid:12)(cid:13)(cid:14)(cid:15)(cid:16)(cid:3)(cid:30)(cid:25)(cid:19)(cid:21)(cid:18)(cid:28)(cid:3)(cid:22)(cid:31)(cid:15)(cid:21) (cid:18)(cid:3)(cid:20)(cid:26)(cid:27)(cid:3)(cid:28)(cid:13)(cid:29)(cid:28)(cid:25) (cid:1) (cid:1) 800 IF = 134A 700 VR = 34V 600 TJ = 25°C TJ = 125°C 500 A) ( R 400 R Q 300 200 100 0 0 100 200 300 400 500 600 700 800 diF /dt (A/µs) (cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:10)(cid:11)(cid:3)(cid:4)(cid:3)(cid:10)(cid:11)(cid:12)(cid:13)(cid:14)(cid:15)(cid:16)(cid:3)(cid:30)(cid:25)(cid:19)(cid:21)(cid:18)(cid:28)(cid:3)(cid:22)(cid:31)(cid:15)(cid:21) (cid:18)(cid:3)(cid:20)(cid:26)(cid:27)(cid:3)(cid:28)(cid:13)(cid:29)(cid:28)(cid:25) (cid:1) 6 www.irf.com

(cid:1)(cid:2)(cid:12)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:5)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:10)(cid:10)(cid:11)(cid:12) Driver Gate Drive (cid:8)(cid:9)(cid:10)(cid:9)(cid:11) P.W. Period D = + P.W. Period " (cid:3) (cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:5)(cid:9)(cid:2)(cid:10)(cid:11)(cid:12)(cid:13)(cid:8)(cid:9)(cid:2)(cid:4)(cid:13)(cid:14)(cid:15)(cid:5)(cid:16)(cid:17)(cid:6)(cid:11)(cid:9)(cid:5)(cid:13)(cid:14)(cid:15) VGS=10V • (cid:2)(cid:10)(cid:13)(cid:18)(cid:2)(cid:19)(cid:9)(cid:6)(cid:11)(cid:12)(cid:2)(cid:20)(cid:14)(cid:16)(cid:8)(cid:7)(cid:9)(cid:11)(cid:14)(cid:7)(cid:17) (cid:2)(cid:2) • (cid:21)(cid:6)(cid:13)(cid:8)(cid:14)(cid:16)(cid:2)(cid:22)(cid:23)(cid:11)(cid:14)(cid:17) - (cid:2)(cid:2) • (cid:10)(cid:13)(cid:18)(cid:2)(cid:10)(cid:17)(cid:11)(cid:24)(cid:11)(cid:25)(cid:17)(cid:2)(cid:20)(cid:14)(cid:16)(cid:8)(cid:7)(cid:9)(cid:11)(cid:14)(cid:7)(cid:17) (cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:4)(cid:8)(cid:6)(cid:6)(cid:17)(cid:14)(cid:9)(cid:2)(cid:26)(cid:6)(cid:11)(cid:14)(cid:15)(cid:27)(cid:13)(cid:6)(cid:28)(cid:17)(cid:6) D.U.T. ISDWaveform + (cid:2) Reverse (cid:4) Recovery Body Diode Forward - + Current Current - di/dt D.U.T. VDSWaveform Diode Recovery (cid:1) dv/dt VDD ( (cid:10)(cid:21) • (cid:16)(cid:30)(cid:31)(cid:16)(cid:9)(cid:2)(cid:7)(cid:13)(cid:14)(cid:9)(cid:6)(cid:13)(cid:23)(cid:23)(cid:17)(cid:16)(cid:2) (cid:12)(cid:2)!(cid:1) (cid:29)(cid:29) Re-Applied • (cid:29)(cid:6)(cid:5)(cid:30)(cid:17)(cid:6)(cid:2)(cid:15)(cid:11)(cid:28)(cid:17)(cid:2)(cid:9)(cid:12)"(cid:17)(cid:2)(cid:11)(cid:15)(cid:2)(cid:29)#$#(cid:26)# + Voltage Body Diode Forward Drop • (cid:20)(cid:2)(cid:3)(cid:2)(cid:7)(cid:13)(cid:14)(cid:9)(cid:6)(cid:13)(cid:23)(cid:23)(cid:17)(cid:16)(cid:2) (cid:12)(cid:2)(cid:29)(cid:8)(cid:9)(cid:12)(cid:2)%(cid:11)(cid:7)(cid:9)(cid:13)(cid:6)(cid:2)&(cid:29)& - (cid:20)I(cid:14)n(cid:16)d(cid:8)u(cid:7)c(cid:9)t(cid:13)o(cid:6)r(cid:2) C(cid:4)u(cid:8)r(cid:6)e(cid:6)(cid:17)n(cid:14)t(cid:9) • (cid:29)#$#(cid:26)#(cid:2)’(cid:2)(cid:29)(cid:17)(cid:30)(cid:5)(cid:7)(cid:17)(cid:2)$(cid:14)(cid:16)(cid:17)(cid:6)(cid:2)(cid:26)(cid:17)(cid:15)(cid:9) Ripple ≤ 5% ISD "(cid:5)( (cid:5))(cid:5)*((cid:5)(cid:12)(cid:15)(cid:13)(cid:5)+(cid:15),(cid:7)-(cid:5)+(cid:11)$(cid:11)(cid:30)(cid:5)(cid:1)(cid:11)$(cid:7)-(cid:11)(cid:23) (cid:21)(cid:19) Fig 21. (cid:1)(cid:18)(cid:15)!(cid:3)(cid:2)(cid:13)(cid:19)(cid:28)(cid:18)(cid:3)(cid:17)(cid:18)(cid:14)(cid:19)(cid:20)(cid:18)(cid:21)(cid:11)(cid:3)(cid:28)(cid:20)(cid:29)(cid:28)(cid:25)(cid:3)(cid:10)(cid:18)(cid:26)(cid:25)(cid:3)(cid:22)(cid:13)(cid:21)(cid:14)(cid:23)(cid:13)(cid:25)(cid:3)for N-Channel HEXFET(cid:2)(cid:3)Power MOSFETs V(BR)DSS 15V tp VDS L DRIVER RG D.U.T + - VDD IAS A 2V0GVS tp 0.01Ω IAS Fig 22a. Unclamped Inductive Test Circuit Fig 22b. Unclamped Inductive Waveforms (cid:10) (cid:29) ((cid:29)(cid:19) VDS 90% ( (cid:21)(cid:19) (cid:1)#.#(cid:27)# (cid:10) (cid:21) +( - (cid:29)(cid:29) ((cid:19)(cid:21)(cid:21)(cid:19)( 10% (cid:22)(cid:8)(cid:23)(cid:15)(cid:17)(cid:2)((cid:5)(cid:16)(cid:9))(cid:2)≤ 1 *(cid:15) V GS (cid:29)(cid:8)(cid:9)(cid:12)(cid:2)%(cid:11)(cid:7)(cid:9)(cid:13)(cid:6)(cid:2)≤ 0.1 % td(on) tr td(off) tf Fig 23a. Switching Time Test Circuit Fig 23b. Switching Time Waveforms CurrentRegulator Id SameTypeas D.U.T. Vds Vgs 50KΩ 12V .2µF .3µF + D.U.T. -VDS Vgs(th) VGS 3mA IG ID Qgs1 Qgs2 Qgd Qgodr CurrentSampling Resistors Fig 24a. Gate Charge Test Circuit Fig 24b. Gate Charge Waveform www.irf.com 7

(cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:5)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:10)(cid:10)(cid:11)(cid:12) D2Pak - 7 Pin Package Outline Dimensions are shown in millimeters (inches) (cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:2)(cid:8)(cid:6)(cid:3)(cid:9)(cid:4)(cid:6)(cid:10)(cid:2)(cid:11)(cid:3)(cid:6)(cid:12)(cid:13)(cid:8)(cid:8)(cid:4)(cid:14)(cid:3)(cid:6)(cid:15)(cid:8)(cid:16)(cid:17)(cid:18)(cid:14)(cid:19)(cid:6)(cid:20)(cid:21)(cid:4)(cid:16)(cid:11)(cid:4)(cid:6)(cid:8)(cid:4)(cid:22)(cid:4)(cid:8)(cid:6)(cid:3)(cid:2)(cid:6)(cid:23)(cid:24)(cid:6)(cid:17)(cid:4)(cid:25)(cid:11)(cid:18)(cid:3)(cid:4)(cid:6)(cid:16)(cid:3)(cid:6)(cid:9)(cid:3)(cid:3)(cid:20)(cid:5)(cid:26)(cid:26)(cid:17)(cid:17)(cid:17)(cid:27)(cid:18)(cid:8)(cid:22)(cid:27)(cid:12)(cid:2)(cid:10)(cid:26)(cid:20)(cid:16)(cid:12)(cid:28)(cid:16)(cid:19)(cid:4)(cid:26) 8 www.irf.com

(cid:1)(cid:2)(cid:12)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:5)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:10)(cid:10)(cid:11)(cid:12) D2Pak - 7 Pin Part Marking Information (cid:1)(cid:2)(cid:3) D2Pak - 7 Pin Tape and Reel (cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:2)(cid:8)(cid:6)(cid:3)(cid:9)(cid:4)(cid:6)(cid:10)(cid:2)(cid:11)(cid:3)(cid:6)(cid:12)(cid:13)(cid:8)(cid:8)(cid:4)(cid:14)(cid:3)(cid:6)(cid:15)(cid:8)(cid:16)(cid:17)(cid:18)(cid:14)(cid:19)(cid:6)(cid:20)(cid:21)(cid:4)(cid:16)(cid:11)(cid:4)(cid:6)(cid:8)(cid:4)(cid:22)(cid:4)(cid:8)(cid:6)(cid:3)(cid:2)(cid:6)(cid:23)(cid:24)(cid:6)(cid:17)(cid:4)(cid:25)(cid:11)(cid:18)(cid:3)(cid:4)(cid:6)(cid:16)(cid:3)(cid:6)(cid:9)(cid:3)(cid:3)(cid:20)(cid:5)(cid:26)(cid:26)(cid:17)(cid:17)(cid:17)(cid:27)(cid:18)(cid:8)(cid:22)(cid:27)(cid:12)(cid:2)(cid:10)(cid:26)(cid:20)(cid:16)(cid:12)(cid:28)(cid:16)(cid:19)(cid:4)(cid:26) Data and specifications subject to change without notice. This product has been designed and qualified for the Industrial market. Qualification Standards can be found on IR’s Web site. IR WORLD HEADQUARTERS: 233 Kansas St., El Segundo, California 90245, USA Tel: (310) 252-7105 TAC Fax: (310) 252-7903 Visit us at www.irf.com for sales contact information. 01/09 www.irf.com 9

Mouser Electronics Authorized Distributor Click to View Pricing, Inventory, Delivery & Lifecycle Information: I nfineon: IRLS3034TRL7PP IRLS3034-7PPBF