【IRLR8259TRPBF/规格参数】厂家_IRLR8259TRPBF中文资料_价格

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型号： IRLR8259TRPBF
制造商： International Rectifier
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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IRLR8259TRPBF产品简介：

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产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
Ciss-输入电容	900 pF
描述	MOSFET N-CH 25V 57A DPAKMOSFET MOSFT 25V 57A 8.7mOhm 6.8nC LogLvl
产品分类	FET - 单分离式半导体
FET功能	逻辑电平门
FET类型	MOSFET N 通道，金属氧化物
Id-ContinuousDrainCurrent	57 A
Id-连续漏极电流	57 A
品牌	International Rectifier
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产品图片
rohs	符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	晶体管,MOSFET,International Rectifier IRLR8259TRPBFHEXFET®
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产品型号	IRLR8259TRPBF
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Pd-PowerDissipation	48 W
Pd-功率耗散	48 W
Qg-GateCharge	6.8 nC
Qg-栅极电荷	6.8 nC
RdsOn-Drain-SourceResistance	12.9 mOhms
RdsOn-漏源导通电阻	10.6 mOhms
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage	25 V
Vds-漏源极击穿电压	25 V
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage	20 V
Vgs-栅源极击穿电压	20 V
Vgsth-栅源极阈值电压	1.9 V
上升时间	38 ns
下降时间	8.9 ns
不同Id时的Vgs(th)（最大值）	2.35V @ 25µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)	900pF @ 13V
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)	10nC @ 4.5V
不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值）	8.7 毫欧 @ 21A，10V
产品培训模块	http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26240
产品目录页面	点击此处下载产品Datasheet
产品种类	MOSFET
供应商器件封装	D-Pak
其它名称	IRLR8259TRPBFDKR
典型关闭延迟时间	9.1 ns
功率-最大值	48W
包装	Digi-Reel®
商标	International Rectifier
安装类型	表面贴装
安装风格	SMD/SMT
封装	Reel
封装/外壳	TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
封装/箱体	DPAK-2
工厂包装数量	2000
晶体管极性	N-Channel
最大工作温度	+ 175 C
最小工作温度	- 55 C
标准包装	1
正向跨导-最小值	55 S
漏源极电压(Vdss)	25V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）	57A （Tc）
配置	Single