ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 单 > IRLR7843PBF
数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
+xxxx | $xxxx | ¥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
IRLR7843PBF产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IRLR7843PBF由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRLR7843PBF价格参考。International RectifierIRLR7843PBF封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 30V 161A(Tc) 140W(Tc) D-Pak。您可以下载IRLR7843PBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRLR7843PBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies的IRLR7843PBF是一款N沟道增强型MOSFET,具有低导通电阻(Rds(on))和高开关速度的特点。其应用场景非常广泛,特别是在需要高效功率转换和低损耗的电路中表现优异。以下是该型号MOSFET的一些典型应用场景: 1. 电源管理: - IRLR7843PBF常用于开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、电池管理系统等应用中。其低导通电阻可以减少功率损耗,提高转换效率,特别适用于笔记本电脑、智能手机和平板电脑等便携式设备的充电器。 2. 电机驱动: - 在无刷直流电机(BLDC)和步进电机驱动电路中,IRLR7843PBF能够提供高效的开关控制,降低发热,延长电机寿命。它适用于电动工具、家用电器(如吸尘器、风扇)以及工业自动化设备中的电机控制。 3. 汽车电子: - 该MOSFET可用于汽车电子系统中的各种应用,例如车载充电器、电动助力转向(EPS)、电子制动系统(EBS)和车身控制系统。其坚固的设计和低功耗特性使其非常适合汽车环境下的严苛要求。 4. 消费电子产品: - 在消费电子产品中,如智能音箱、智能家居控制器等,IRLR7843PBF可以用作负载开关或电源管理元件,确保设备在待机模式下消耗最小的电流,并在工作时快速响应。 5. 通信设备: - 在基站、路由器和其他通信基础设施中,IRLR7843PBF可以用于电源模块和信号处理电路,保证稳定性和可靠性的同时,实现高效的能量转换。 6. 工业控制: - 工业自动化系统中,如可编程逻辑控制器(PLC)、伺服驱动器等,IRLR7843PBF可以作为关键的功率开关组件,帮助实现精确的控制和高效的能量管理。 总之,IRLR7843PBF凭借其出色的性能参数,在多个领域都有广泛的应用前景,尤其适合对效率和可靠性有较高要求的场景。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
ChannelMode | Enhancement |
描述 | MOSFET N-CH 30V 161A DPAKMOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 3.3mOhms 34nC |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 161 A |
Id-连续漏极电流 | 161 A |
品牌 | International Rectifier |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRLR7843PBFHEXFET® |
数据手册 | |
产品型号 | IRLR7843PBF |
PCN组件/产地 | |
Pd-PowerDissipation | 140 W |
Pd-功率耗散 | 140 W |
Qg-GateCharge | 34 nC |
Qg-栅极电荷 | 34 nC |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 4 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 4 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
上升时间 | 42 ns |
下降时间 | 19 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2.3V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 4380pF @ 15V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 50nC @ 4.5V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 3.3 毫欧 @ 15A,10V |
产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26240 |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | D-Pak |
典型关闭延迟时间 | 34 ns |
功率-最大值 | 140W |
功率耗散 | 140 W |
包装 | 管件 |
商标 | International Rectifier |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
导通电阻 | 4 mOhms |
封装 | Tube |
封装/外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 |
封装/箱体 | DPAK-2 |
工厂包装数量 | 75 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 175 C |
最小工作温度 | - 55 C |
栅极电荷Qg | 34 nC |
标准包装 | 75 |
汲极/源极击穿电压 | 30 V |
漏极连续电流 | 161 A |
漏源极电压(Vdss) | 30V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 161A (Tc) |
设计资源 | http://www.irf.com/product-info/models/saber/irlru7843.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/spice/irlru7843.spi |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Single |
闸/源击穿电压 | 20 V |