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IRLR7821TRPBF产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IRLR7821TRPBF由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRLR7821TRPBF价格参考。International RectifierIRLR7821TRPBF封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 30V 65A(Tc) 75W(Tc) D-Pak。您可以下载IRLR7821TRPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRLR7821TRPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
ChannelMode | Enhancement |
描述 | MOSFET N-CH 30V 65A DPAKMOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 10mOhms 10nC |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 65 A |
Id-连续漏极电流 | 65 A |
品牌 | International Rectifier |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRLR7821TRPBFHEXFET® |
数据手册 | |
产品型号 | IRLR7821TRPBF |
PCN组件/产地 | |
Pd-PowerDissipation | 75 W |
Pd-功率耗散 | 75 W |
Qg-GateCharge | 10 nC |
Qg-栅极电荷 | 10 nC |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 12.5 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 12.5 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
上升时间 | 4.2 ns |
下降时间 | 3.2 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 1V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1030pF @ 15V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 14nC @ 4.5V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 10 毫欧 @ 15A,10V |
产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26240 |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | D-Pak |
其它名称 | IRLR7821PBFTR |
典型关闭延迟时间 | 10 ns |
功率-最大值 | 75W |
包装 | 带卷 (TR) |
商标 | International Rectifier |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 |
封装/箱体 | DPAK-2 |
工厂包装数量 | 2000 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 175 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 2,000 |
漏源极电压(Vdss) | 30V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 65A (Tc) |
设计资源 | http://www.irf.com/product-info/models/saber/irlru7821.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/spice/irlru7821.spi |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Single |